鈴木 真一郎 | 信州大学工学部

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概要

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• 信州大学工学部の論文著者

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• 鈴木 真一郎

  信州大学工学部

• 林部 林平

  信州大学工学部

• 上村 喜一

  信州大学工学部

• 山上 朋彦

  信州大学工学部

• 村田 裕亮

  信州大学工学部

• 上村 喜一

  信州大学工学部電気電子工学科

• 山上 朋彦

  信州大学工学部電気電子工学科

• 林部 林平

  信州大学工学部電気電子工学科

• 逸見 充則

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• 小林 尚平

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• 辻 拓真

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• 酒井 崇史

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著作論文

• 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-14 TEOSを用いた熱CVDによるSiC-MOS構造の界面評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
• C-6-9 直接窒化法を用いたSiCMIS構造の界面特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価

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