High Performance of Silicon Oxide Selective Etching Using F_2 Gas and Graphite Instead of Perfluorinated Compound Gases
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2004-04-01
著者
-
堀 勝
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
Hori Masaru
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Hori Masaru
Department Of Electrical Engineering And Computer Science School Of Engineering Nagoya University
-
NAGAI Mikio
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
GOTO Toshio
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
Nagai Mikio
Department Of Electrical Engineering And Computer Science Graduate School Of Engineering Nagoya Univ
-
Hori Masaru
Department Of Electrical Engineering And Computer Science Graduate School Of Engineering Nagoya Univ
-
Goto Toshio
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Hori Masaru
Department Of Quantum Engineering School Of Engineering Nagoya University
-
Nagai Mikio
Department Of Quantum Engineering School Of Engineering Nagoya University
-
Goto Toshio
Department Of Electronic Mechanical Engineering Nagoya University
-
Goto Toshio
Department Of Quantum Engineering School Of Engineering Nagoya University
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