Ultrathin Fluorinated Silicon Nitride Gate Dielectric Films Formed by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Employing NH_3 and SiF_4
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概要
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- 2000-08-28
著者
-
堀 勝
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
Goto T
Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Tohoku University
-
Goto Takaaki
Department Of Electric Engineering Tokyo University Of Agriculture And Technology
-
Hori Masaru
Department Of Electrical Engineering And Computer Science Graduate School Of Engineering Nagoya Univ
-
Hori Masaru
School Of Engineering Nagoya University
-
Ohta Hiroyuki
Department Of Biological Sciences Graduate School Of Bioscience And Biotechnology Tokyo Institute Of
-
Goto Toshio
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Ohta Hiroyuki
Department Of Quantum Engineering Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
後藤 俊夫
Imram Tohoku University
-
Hori Masaru
Department Of Quantum Engineering School Of Engineering Nagoya University
-
Nagashima Atsushi
Department Of Quantum Engineering Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Nagashima Atsushi
Department Of Digestive Surgery And Surgical Oncology (surgery Ii) Yamaguchi University Graduate Sch
-
Goto Toshio
Department Of Electronic Mechanical Engineering Nagoya University
-
GOTO Toshio
Department of Agricultural Chemistry, Faculty of Agriculture, Nagoya University
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