Effects of Driving Frequency on the Translational Temperature and Absolute Density of Si Atoms in Very High Frequency Capacitively Coupled SiF_4 Plasmas
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2003-12-15
著者
-
堀 勝
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
ITO Masafumi
Department of Pathology, Japanese Red Cross Nagoya Daiichi Hospital
-
Hori Masaru
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
伊藤 昌文
名城大学理工学部
-
GOTO Toshio
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
OHTA Takayuki
Department of Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
ISHIDA Tetsuro
Department of Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
KAWAKAMI Satoshi
Tokyo Electron Tohoku Ltd.
-
ISHII Nobuo
Central Research Laboratory, Tokyo Electron Ltd.
-
Ishii Nobuo
Corporate R&d Central Research Laboratory Tokyo Electron Ltd.
-
Ishida Tetsuro
Department Of Quantum Engineering Graduate School Of Engineering Nagoya University
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