岩本 光正 | 東京工業大学

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概要

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• 同名の論文著者
• 東京工業大学の論文著者

関連著者

• 岩本 光正

  東京工業大学

• 岩本 光正

  東京工業大学電子物理工学科

• 間中 孝彰

  東京工業大学

• Iwamoto Mitsumasa

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• Iwamoto Mitsumasa

  Dept. Of Phys. Elec Tokyo Tech.

• 間中 孝彰

  東工大

• 岩本 光正

  東工大

• 真島 豊

  東京工業大学

• 真島 豊

  東京工大

• 真島 豊

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 若本 光正

  東工大

• Motoji Toshiko

  Tokyo Women's Medical University

• Mori Takehiko

  Department Of Organic Materials Tokyo Institute Of Technology

• Mori Takehiko

  Faculty Of Engineering Tohoku Institute Of Technology

• 林 銀珠

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• Iwamoto M

  Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology

• 田口 大

  東工大

• 田村 亮祐

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 田口 大

  東京工業大学理工学研究科

• 金 英輝

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 大嶋 優記

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 福澤 雅弘

  九州産業大学電気工学科

• 岩本 光正

  東京工業大学大学院・理工学研究科

• 田村 亮祐

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• Taniguchi M

  Division Of Material Chemistry Faculty Of Engineering Kyoto University

• Mori T

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• 久保田 徹

  情報通信研究機構未来ictセンター

• Weis Martin

  東京工業大学 大学院理工学研究科

• マーチン ワイス

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 福沢 雅弘

  九州産業大学工学部電気工学科

• 福沢 雅弘

  九州産業大学

• 呉 晨旭

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 渡嶋 淳

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 久保田 徹

  東京工業大学電子物理工学科

• 佐藤 葉子

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 宮沢 亮

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 中尾 元春

  東京工業大学 大学院理工学研究科

• 松尾 洋介

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 吉田 周平

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 小山 裕

  東工大 工

• 篠 竜徳

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 金 禹淵

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 小山 裕

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• Manaka Takaaki

  Department Of Physical Electronics Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Tec

• 奥田 敦

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 小野田 光宣

  兵庫県立大

• 加藤 敬介

  東京工業大学 工学部 電子物理工学科

• 上原 摂理

  東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻

• 増田 朋彦

  東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻

• 柳 飛

  東京工業大学 大学院理工学研究科

• 松村 篤志

  東京工業大学

• 浜津 誠

  東京工業大学

• 野口 裕

  千葉大先端セ

• 小野田 光宣

  姫路工業大学 工学部

• 北澤 和紀

  東京工業大学理工学研究科

• MANAKA Takaaki

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• IWAMOTO Mitsumasa

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 梶本 典史

  東京工業大学理工学研究科

• 長田 憲司朗

  東京工業大学理工学研究科

• 梶本 典史

  東京工業大学

• 北澤 和紀

  東京工業大学

• 臼井 博明

  東京農工大学

• 川島 啓

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 伊東 栄次

  東京工業大学電子物理工学科

• 小野田 光宣

  兵庫県立大学 大学院工学研究科

• 山本 哲也

  東京工業大学

• 田中 尚樹

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 田中 尚樹

  (株)日立製作所基礎研究所:東工大大学院理工学研究科

• 田中 尚樹

  日立基礎研

• 吉田 崇将

  東京工業大学

• 田中 康之

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 日吉 良平

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 岩本 光正

  日本モトローラ(株)

• WEIS Martin

  東工大

• 松崎 靖

  九州産業大学工学研究科電気工学専攻

• 野口 裕

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• WEIS Martin

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 桂 卓成

  日立

• 山下 宏

  九州産業大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 工藤 一浩

  千葉大学工学部

• 大森 裕

  大阪大学先端科学イノベーションセンター

• 田中 康之

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 坂上 正徳

  東京工業大学大学院 理工学研究科

• 桂 卓成

  東京工業大学大学院 理工学研究科

• 田中 尚樹

  東京工業大学大学院 理工学研究科

• 川原 誠

  九州産業大学工学研究科電気工学専攻

• 李 成全

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 小久保 晴夫

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 小野田 光宣

  姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻

• 杉村 明彦

  大阪産業大学

• TAGUCHI Dai

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 福澤 雅弘

  電気工学科

• 臼井 博明

  東京農工大有機材料化学科

• Kubota T

  Department Of Chemistry Graduate School Of Science The University Of Tokyo

• 山田 大介

  東京工業大学理工学研究科

• 上原 貴文

  九州産業大学工学部電気工学専攻

• 園田 大輔

  九州産業大学電気工学科

• 池堂 弘志

  九州産業大学工学研究科電気工学専攻

• 林 銀珠

  東工大

• CHEN Xiangyu

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• Ou-Yang Wei

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 小久保 晴夫

  東工大 工

• 宮本 進一郎

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• Kubota Tadahiro

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Denki University

• 杉村 明彦

  大阪産業大学工学部

• 河野 明廣

  名大工

• 若山 裕

  (独)物質・材料研究機構

• 川口 英夫

  東洋大学生命科学部

• 松井 淳一

  九州産業大学工学部電気工学科

• 山本 哲也

  山形大学

• 小舘 香椎子

  日本女子大学理学研究科数理・物性構造科学専攻

• 福田 篤志

  東京工業大学電子物理工学科

• 中村 淳

  電通大電子

• 庄司 一郎

  中央大

• 石榑 崇明

  慶応大

• 益子 信郎

  情報通信研究機構関西先端研究センター

• 日野 太郎

  東京工業大学

• 佐々木 一郎

  東京工業大学

• 工藤 一浩

  千葉大

• 工藤 一浩

  千葉大学

• 工藤 一浩

  千葉大学大学院工学研究科

• 大森 裕

  大阪大学 大学院 工学研究科

• LI Jun

  Department of Orthopaedic Surgery, Emory University School of Medicine

• 小舘 香椎子

  日本女子大学 理学部数物科学科

• 山崎 享子

  日立基礎研

• 桂 卓成

  日立製作所

• 田中 尚樹

  日立製作所

• 川口 英夫

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 山崎 享子

  日立製作所基礎研究所

• 川口 英夫

  東京工業大学大学院 理工学研究科

• 中村 淳

  電通大

• 辻田 亘

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 辻田 亘

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 土田 雅基

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 小舘 香椎子

  日本女子大学理学部数物科学科

• 早川 充

  九州産業大学工学部電気工学科

• 正力 重仁

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 川手 隆司

  東京工業大学・理工学研究科

• 趙 偉

  Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology

• ZHANG Le

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• Lim Eunju

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• MIYAZAWA Ryo

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• Ou-yang Zhong-can

  中国科学院理論物理学研究所

• 上原 貴文

  工学研究科電気工学専攻

• 中島 章

  工学部電気工学科

• 高野 弘行

  工学部電気工学科

• 今村 光良

  工学部電気工学科

• 若山 裕

  物質材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 若山 裕

  物質・材料研究機構半導体材料センター

• 益子 信郎

  郵政省通信総合研究所

• 野口 裕

  情報通信研究機構 関西先端研究センター

• 岩田 健蔵

  九州産業大学工学部電気工学科

• 加藤 良太

  九州産業大学工学部電気工学科

• 藤嶋 隆衡

  九州産業大学工学部電気工学科

• 岩本 光正

  東工大院・理工

• 吉田 久

  東京工業大学理工学研究科

• Zhang Le

  Department Of Electronics Engineering Shanghai Jiao Tong University

• Zhang Le

  Department Of Chemistry Wuhan University

• 豊田 章

  九州産業大学工学部電気工学科

• 加藤 広明

  九州産業大学工学部電気工学科

• 呉 辰旭

  東京工業大学電子物理工学科

• 藤本 靖広

  九州産業大学電気工学科

• 山形 壮弥

  九州産業大学電気工学科

• 山本 圭佑

  九州産業大学工学部工学研究科電気工学専攻

• 高瀬 旭

  九州産業大学工学部電気工学科

• 山本 圭佑

  工学研究科電気工学専攻

• 石井 裕樹

  工学部電気工学科

• 古川 英明

  工学部電気工学科

• 大竹 宏志

  東京工大

• 深田 正憲

  東京工業大学大学院理工学研究科

• ゾウ ガン

  東京工業大学理工学研究科

• 市村 国宏

  東京工業大学 資源化学研究所

• 程 暁曼

  天津理工学院

• 百田 誠

  九州産業大学工学部電気工学科

• 高添 ちおり

  九州産業大学工学部電気工学科

• 橋詰 和史

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 久保田 徹

  総務省通信総合研究所関西先端研究センター

• 益子 信郎

  総務省通信総合研究所関西先端研究センター

• 吹訳 政樹

  九州産業大学工学部電気工学科

• 天羽 友和

  九州産業大学工学部電気工学科

• 井本 孝弘

  九州産業大学工学部電気工学科

• 浦江 啓史

  九州産業大学工学部電気工学科

• LIU Fei

  Center for Advanced Study, Tsinghua University

• WEI Ou-Yang

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• Lim Eunju

  Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology

• 趙 偉

  東京工業大学

• 高野 和也

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 高野 和也

  東京工業大学

• 吉武 隆一

  九産大

• 河野 明廣

  名古屋大学

• 河野 明廣

  名大

• 小口 聡

  東京工業大学大学院 理工学研究科

• 松下 明宏

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• Liu Fei

  Center For Advanced Study Tsinghua University

• 益子 信郎

  情報通信研究機構

• 益子 信郎

  情報通信研究機構 関西先端研究センター ナノ機構グループ

• 入山 啓治

  東京慈恵会医大 Dna医研

• 徐 暁斌

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 間中 孝彰

  東工大院・理工

• 林 銀珠

  東工大院・理工

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著作論文

• ペンタセンFETのキャリア輸送に対する絶縁膜の効果 : TRM-SHGで見る界面トラップ(有機材料・薄膜・界面・デバイス/フィルムベースデバイスのための界面制御とプロセス技術)
• 光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• 電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価(材料デバイスサマーミーティング)
• 光学的手法によるITO/PI/P3HT/Au構造内部のキャリア挙動の評価(フレキシブルエレクトロニクス)
• 人材育成・男女共同参画委員会, 刊行委員会, JJAP編集運営委員会共同企画シンポジウム : 「学会における若手人材育成-応物があなたのキャリアデザインを応援します-」報告
• 有機EL現象を用いた交流電界下でのキャリア注入過程の評価と解析(有機材料・一般)
• CS-4-2 光学的・電気的手法による界面液晶配向の評価(CS-4.有機・バイオデバイスに向けた界面の役割,シンポジウムセッション)
• 表面電位法によるポリイミドLB膜の帯電とその空間電荷分布測定
• SHG・ラマンイメージングによるペンタセンFETにおける電界・電荷分布評価(有機材料,一般)
• 有機FETの有機/金属ナノ界面における帯電現象の評価と界面処理による制御(有機超薄膜と有機デバイス, 一般)
• Alq3薄膜における表面電位発生と非線形光学的手法によるその評価(機能性有機薄膜,一般)
• 光第2次高調波法による有機トランジスタ内のキャリヤ輸送の評価
• 電界誘起光第二次高調波発生法による有機電界効果トランジスタの面内電界分布(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• ケルビン法及び各種分光法によるAlq3薄膜の巨大表面電位発生と消失に関する研究(機能性有機薄膜・一般)
• モルモット聴覚皮質における背景活動および自発活動の異方的構造
• D-7-3 多重ICA法と光計測における神経活動抽出への応用(D-7.MEとバイオサイバネティックスA(バイオサイバネティックス),一般講演)
• D-7-2 大脳皮質聴覚野における背景的活動の異方的構造 : 位相同期性に基づく解析(D-7.MEとバイオサイバネティックスA(バイオサイバネティックス),一般講演)
• 偏光吸収法および光第2次高調波発生法による界面吸着液晶分子の配向オーダパラメータ評価(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• 光照射時の金属/フタロシアニンLB膜界面の帯電機構
• キラルなポリジアセチレン薄膜の作製とその重合過程の検討(材料デバイスサマーミーティング)
• キラルなポリジアセチレン薄膜の作製とその重合過程の検討(材料デバイスサマーミーティング)
• キラルなポリジアセチレン薄膜の作製とその重合過程の検討(材料デバイスサマーミーティング)
• 光学的手法によるITO/PI/P3HT/Au構造内部のキャリア挙動の評価(フレキシブルエレクトロニクス)
• 光学的手法によるITO/PI/P3HT/Au構造内部のキャリア挙動の評価(フレキシブルエレクトロニクス)
• 光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• 金属-フタロシアニン系LB膜界面の電子性準位のエネルギー分布
• 金属-LB膜界面の電子状態と帯電特性
• ポリエチレンLB膜のTSC電荷の測定II(電気工学科)
• 交流電界下における有機FET構造素子からのエレクトロルミネッセンス観測とその解析(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• 交流電界下における有機FET構造素子からのエレクトロルミネッセンス観測とその解析(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• 光学的手法で見る有機薄膜トランジスタにおける電荷のダイナミクス(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 光学的手法で見る有機薄膜トランジスタにおける電荷のダイナミクス(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 有機FETにおけるキャリアダイナミクス(センサ,デバイス,一般)
• 変位電流及び光第2次高調波によるnCB水面上単分子膜の配向オーダパラメータの評価
• 水面上単分子膜の変位電流と光第2次高調波の測定
• SHGおよびMDCによる液晶性単分子膜の配向オーダパラメータの評価
• 水面上単分子膜の変位電流及びSHGの同時計測
• 水面上単分子膜の変位電流及びSHGの同時計測
• 水面上単分子膜の変位電流及びSHGの同時計測
• 水面上単分子膜の変位電流及びSHGの同時計測
• US2000-25 / EMD2000-21 / CPM2000-36 / OME2000-31 走査型変位電流顕微鏡の開発
• US2000-25 / EMD2000-21 / CPM2000-36 / OME2000-31 走査型変位電流顕微鏡の開発
• US2000-25 / EMD2000-21 / CPM2000-36 / OME2000-31 走査型変位電流顕微鏡の開発
• US2000-25 / EMD2000-21 / CPM2000-36 / OME2000-31 走査型変位電流顕微鏡の開発
• 走査型振動プローブを用いた変位電流とトンネル電流の同時測定(TSM)における電流波形の解析
• ラングミュアブロジェット単分子膜を用いた液晶分子の配向制御
• C-13-7 ラングミュアブロジェット単分子膜を用いた液晶セルの特性
• ラングミュアブロジェット単分子膜を用いた液晶セルの特性
• アゾベンゼン単分子膜を表面層とする液晶セルの特性評価
• アゾベンゼン単分子膜を表面層とする液晶セルの特性評価
• ポリエチレンLB膜のTSC電荷の測定(電気工学科,工学部創設40周年記念号)
• CS-7-8 時間分解SHG測定によるITO/PI/P3HT/Au構造素子内部のキャリア挙動の評価(CS-7.有機エレクトロニクス研究の愉しみ,シンポジウムセッション)
• 電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価(材料デバイスサマーミーティング)
• 電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価(材料デバイスサマーミーティング)
• パルス電圧印加によるテトラセン電界効果トランジスタ内の電界発光メカニズム(光機能性有機材料・デバイス、光非線形現象,一般)
• パルス電圧印加によるテトラセン電界効果トランジスタ内の電界発光メカニズム(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• 基板上混合単分子膜の光異性化による熱刺激変位電流の測定 ?
• パターンニングされた固体上脂質二分子膜の表面形状観察
• パターンニングされた固体上脂質二分子膜の表面形状観察
• パターンニングされた固体上脂質二分子膜の表面形状観察
• 色素有機単分子膜ポリイミドトンネル素子の電気特性
• 5CB大気中蒸着による表面電位測定(電気工学科)
• 有機単一電子トンネル接合の電流-電圧特性における光照射効果(有機材料・一般)
• 強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価(材料デバイスサマーミーティング)
• 強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価(材料デバイスサマーミーティング)
• 強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価(材料デバイスサマーミーティング)
• 5CB大気中蒸着温度変化による表面電位測定(電気情報工学科)
• 5CB大気中蒸着による表面電位測定 (II)(電気工学科)
• 液晶分子蒸着過程の表面電位測定と界面構造の解析
• 偏光吸収法および光第2次高調波発生法による界面吸着液晶分子の配向オーダパラメータ評価(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• 偏光吸収法および光第2次高調波発生法による界面吸着液晶分子の配向オーダパラメータ評価(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• C-13-3 円偏光照射によるキラルポリジアセチレンの形成とそのキラリティーに対する基板温度の効果(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
• 円偏光誘起したキラルポリジアセチレンの電界発光現象の観測(有機材料・一般)
• 交流電界発光によるAu電極を用いた有機FET内への電子注入現象の観測
• 交流電界発光によるAu電極を用いた有機FET内への電子注入現象の観測(有機材料・一般)
• 顕微SHG法による有機FET中のキャリアトラップに関する検討
• 顕微SHG法による有機FET中のキャリアトラップに関する検討(有機材料,一般)
• アキラルモノマーからのキラルポリジアセチレン薄膜の作成とその光・電気特性(有機材料,一般)
• 液晶の光配向制御と光変位電流
• 有機分子膜の相転移現象の解析
• 水面上の液晶混合単分子膜の光変位電流
• N-ドコシルキノリニウム : TCNQの単分子膜の電気特性
• 有機誘電体・半導体の物理と界面デザインに関する調査専門委員会
• 有機エレクトロニクスの技術進展と展望(有機エレクトロニクス,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
• 有機超薄膜研究の最近の展開
• 分光学的手法による金属上フタロシアニン薄膜の表面電位評価(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
• 金属/PILB膜/金属構造素子の空間電荷分布とC-V特性
• 不平等電界下におけるポリイミドLB超薄膜の耐電圧特性 ?
• ローダミン色素分子膜を用いた単電子素子の特性解析
• A new measuring system for detecting displacement current and absorbance at the same time
• 液晶セルにおける静電容量及び蓄積電流の同時過渡応答測定システム
• 有機単電子トンネル素子の電流電圧特性における界面空間電荷の影響
• 走査型振動プローブを用いた変位電流の新しい局所的評価法
• 変位電流とトンネル電流の同時分離計測法と変位電流顕微鏡
• ポリイミドLB膜を用いたネマティック液晶セルの光応答特性と解析
• SC-9-4 走査型振動プローブを用いた変位電流とトンネル電流の同時計測システム
• 走査形振動プローブを用いたSiキャリア濃度の定量評価
• 単分子膜の変位電流と分子シンクロ現象を利用した有機素子
• 金属/ポリイミド/ローダミンデンドリマー/ポリイミド/金属構造素子の電気伝導
• 走査型プローブを用いたSiの表面電位とSTSの同時測定
• TSMによるSi擬フェルミレベルの電圧依存性の直接観察
• 変位電流法による水面上有機単分子膜の誘電物性評価
• 変位電流法による水面上有機単分子膜の誘電物性評価
• 変位電流法による水面上有機単分子膜の誘電物性評価
• 変位電流法による水面上有機単分子膜の誘電物性評価
• 変位電流法による有機単分子膜の誘電緩和時間の評価
• 走査型プローブによるトンネル電流と表面電位の同時計測システム
• 走査型プローブによるトンネル電流と表面電位の同時計測システム
• フタロシアニンLB膜の電子性準位の測定
• 気水界面単分子膜の誘電緩和現象に関する検討
• 気水界面単分子膜の誘電緩和現象に関する検討
• 気水界面単分子膜の誘電緩和現象に関する検討
• 気水界面単分子膜の誘電緩和現象に関する検討
• 表面圧が0の領域における気水界面単分子膜の緩和現象に関する検討
• 時間分解SHイメージングによる有機トランジスタ中キャリア走行の直接観測
• 時間分解SHGイメージングによるペンタセンFETへの両極性注入の評価(センサー,デバイス,一般)
• 有機FETにおけるキャリア挙動の電極金属依存性 : 時間分解SHイメージングによる直接観測(材料デバイスサマーミーティング)
• 有機FETにおけるキャリア挙動の電極金属依存性 : 時間分解SHイメージングによる直接観測(材料デバイスサマーミーティング)
• 有機FETにおけるキャリア挙動の電極金属依存性 : 時間分解SHイメージングによる直接観測(材料デバイスサマーミーティング)
• 基板上混合単分子膜の光異性化による熱刺激変位電流の測定 (?)
• 基板上混合単分子膜の光異性化による熱刺激変位電流の測定
• 有機界面幾何工学とエレクトロニクス
• 有機エレクトロニクス界面幾何工学の展開
• 有機分子素子工学の現状と新展開-有機半導体界面の電子現象-
• 有機超薄膜の界面現象と機能
• ペンタセンFETのキャリア輸送に対する絶縁膜の効果 : TRM-SHGで見る界面トラップ
• 電界誘起光第二次高調波発生法による有機電界効果トランジスタの面内電界分布(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• Mobility Measurement Based on Visualized Electric Field Migration in Organic Field-Effect Transistors
• Hysteresis Behavior Analysis of Organic Field Effect Transistor with P(VDF-TrFE) LB film gate-insulator
• Hysteresis behavior analysis of organic field effect transistor with P(VDF-TrFE) LB film gate-insulator (有機エレクトロニクス)
• 界面分子膜の物性とMDC及びSHG法による評価
• 時間分解顕微SHG法による有機FET中キャリアの移動度測定(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• 時間分解顕微SHG法による有機FET中キャリアの移動度測定(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• Alq_3蒸着膜の巨大表面電位減衰過程の測定 : 静電エネルギの立場からの解析
• ケルビン法及び各種分光法によるAlq3薄膜の巨大表面電位発生と消失に関する研究
• ケルビンプローブ法およびSHG法によるAlq_3蒸着膜の巨大表面電位の評価(機能性有機薄膜・一般)
• Potential Drop at Electrode Contact of Organic Field-Effect Transistors Evaluated by Optical Second Harmonic Generation
• 15項 Maxwell-Wagner効果素子としての有機FETと光第2次高調波による電界分布測定(4節 通研講演会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
• Maxwell-Wagner モデルを用いた有機FET構造素子の動作とメモリー効果の解析
• C-13-2 Dielectric constant tensor in orientational orders for monolayer films
• 水面上に形成される単分子膜パターンに関する理論
• 有機単分子膜の誘電率の理論解析
• 有機単分子膜配向相転移の解析
• 有機半導体/絶縁体界面の電荷蓄積とキャリヤ輸送
• 光第2次高調波発生法による有機FETチャネル部分のポテンシャル観察
• 光第2次高調波発生法による有機FETチャネル部分のポテンシャル観察(機能性有機薄膜・一般)
• SHG法によるペンタセンFET動作の観測
• 有機FET構造素子における Maxwell-Wagner 効果と動作機構
• 有機FETの有機/金属ナノ界面における帯電現象の評価と界面処理による制御
• TIPSペンタセンを用いた塗布型FETにおけるキャリア挙動の可視化 (有機エレクトロニクス)
• TIPSペンタセンを用いた塗布型FETにおけるキャリア挙動の可視化 (電子部品・材料)
• TIPSペンタセンを用いた塗布型FETにおけるキャリア挙動の可視化 (機構デバイス)
• Effect of Traps on Carrier Injection and Transport in Organic Field-effect Transistor
• TC-1-1 I.総論
• 2 有機エレクトロニクスの誘電物性に関する先駆的研究
• 2 有機エレクトロニクスの誘電物性に関する先駆的研究
• 固体上へのハイブリッド脂質膜の作製とその誘電特性の評価(センサー,デバイス,一般)
• Maxwell-Wagner 効果素子としての有機FETの解析
• エリプソメトリーによるLB膜の評価
• 針-平板電極系におけるポリイミドLB超薄膜の帯電特性
• 不平等電界下におけるポリイミドLB超薄膜の耐電圧特性 ?
• 不平等電界下におけるポリイミドLB超薄膜の耐電圧特性
• 針-平板電極系におけるLDPEの交流トリーと空間電荷の関係 : 周波数依存性
• 電荷変調分光法・光第2次高調波発生法による有機FETの動作解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 電荷変調分光法・光第2次高調波発生法による有機FETの動作解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• キラル表面上に作製したポリジアセチレン膜の評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• キラル表面上に作製したポリジアセチレン膜の評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• Probing of Maxwell-Wagner Type Interfacial Charging Process in Double-Layer Devices by Time-Resolved Second Harmonic Generation
• 高分子複合絶縁材料による針-平板電極系による空間電荷電界の測定(電気工学科,工学部創設40周年記念号)
• 基板上混合分子多層膜の光異性化による熱刺激変位電流の測定
• 基板上混合単分子膜の光異性化による熱刺激変位電流の測定
• 変位電流法による物質表面の有機分子膜の電子物性評価
• ポリイミドLB膜をトンネル層とする色素有機単分子膜の非弾性トンネルスペクトロスコピー
• ポリイミド/ポルフィリン/アラキン酸構造素子の光過渡電圧測定
• ヘテロ構造ポリイミドLB膜の過渡光電圧測定
• 液晶分子の電気物性 : 情報ディスプレイ
• 液晶分子の電気物性
• 水面上シアノビフェニル液晶性単分子膜の相転移現象と変位電流
• 機能性ポリイミドLB膜の電気伝導
• 変位電流法による液晶混合単分子膜の評価
• Probing of Electric Field Distribution in ITO/PI/P3HT/Au Using Electric Field Induced Second Harmonic Generation
• 5CB液晶セルの低周波誘電分散特性
• 有機単分子膜のC_→Cs相転移現象と変位電流の解析
• キラルな分子からなる水面上単分子膜のMDCとSHG
• 変位電流・光第2次高調波発生による有機単分子膜の評価
• 有機分子とエレクトロニクス
• TIPSペンタセンを用いた塗布型FETにおけるキャリア挙動の可視化(材料デバイスサマーミーティング)
• TIPSペンタセンを用いた塗布型FETにおけるキャリア挙動の可視化(材料デバイスサマーミーティング)
• TIPSペンタセンを用いた塗布型FETにおけるキャリア挙動の可視化(材料デバイスサマーミーティング)
• 温度勾配熱刺激測定法を用いた針 : 平板電極系におけるLDPE内の荷電粒子の研究
• 基板上混合単分子膜の光異性化による変位電流
• 有機太陽電池用界面電界・寿命評価装置の開発 (特集 先端計測分析技術の開発)
• CS-5-8 光学的手法による有機トランジスタの電界・電荷分布評価(CS-5.有機分子の特性を活かした材料評価技術とセンシング技術,シンポジウムセッション)
• 有機電界効果トランジスタのキャリア挙動解析
• 交流矩形波電圧駆動による有機EL素子（ITO/α-NPD/Alq3/Al）のEL発光モードの解析
• 交流矩形波電圧駆動による有機EL素子(ITO/α-NPD/Alq_3/Al)のEL発光モードの解析
• 強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価
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• 水面上のL-α-ジオレイルレシチン単分子膜の面積変化により発生する変位電流の検出〔英文〕

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