フタロシアニンLB膜の電子性準位の測定
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概要
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フタロシアニン系材料 (C6PcCu, CuttbPc) をLB法により電極金属上に累積すると界面数nmの範囲で電子の授受が発生する。本研究では側鎖の異なる2種類のフタロシアニン系材料に着目し, 界面での電荷の授受による膜電位の膜厚依存性を表面電位法により測定し、その比較を行なった。そして、電極金属、LB膜界面での空間電荷密度分布・電子性準位のエネルギー分布を求め、両者の違いを検討した。
- 1997-11-21
著者
-
真島 豊
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
岩本 光正
東京工業大学電子物理工学科
-
小山 裕
東工大 工
-
小久保 晴夫
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
岩本 光正
東京工業大学
-
小山 裕
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
小久保 晴夫
東工大 工
-
真島 豊
東京工大
-
真島 豊
東京工業大学
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