電界誘起光第二次高調波発生法による有機電界効果トランジスタの面内電界分布(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
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概要
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電流密度jはj=enμEと表わされるので、有機電界効果トランジスタの解析では、電荷密度en(キャリアの起源)・移動度μ(キャリアの移動)・電界E(有機材料内の電界分布)に関する知見が必要である。注入キャリアで動作する有機FETではONおよびOFF時の電界分布を決定することが重要になる。これまで我々は誘電分極現象に敏感な光第二次高調波発生(SHG)に着目し、有機FETの電界分布評価に対する手法を提案してきた。今回はSH光の偏光方向から電界成分を解析することにより、ペンタセンFETの面内電界分布を検討した。その結果、ドメインサイズが1μm程度に達する試料を用いた場合にも、SHG法によりチャネル方向の静電界を計測できることが示された。
- 2008-11-07
著者
-
間中 孝彰
東工大
-
岩本 光正
東工大
-
岩本 光正
東京工業大学電子物理工学科
-
間中 孝彰
東京工業大学
-
林 銀珠
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
Weis Martin
東京工業大学 大学院理工学研究科
-
マーチン ワイス
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto Mitsumasa
Dept. Of Phys. Elec Tokyo Tech.
-
WEIS Martin
東工大
-
中尾 元春
東京工業大学 大学院理工学研究科
-
林 銀珠
東工大
-
Manaka Takaaki
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
マーチン ワイス
東京工業大学 大学院理工学研究科
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