Hysteresis behavior analysis of organic field effect transistor with P(VDF-TrFE) LB film gate-insulator (有機エレクトロニクス)
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概要
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We studied the hysteresis behavior in pentacene organic field effect transistor (OFET) with ferroelectric P(VDF-TrFE) dipole layer in gate insulator. The OFET without the dipole layer exhibited a hysteresis caused by carrier trapping. On the other hand, such hysteresis was not obtained for the OFET with the P(VDF-TrFE). Experiments showed that the induced hysteresis could be regulated by the number of P(VDF-TrFE) dipole layers, which were deposited by the Langmuir-Blodgett (LB) technique. Finally we showed that analysis based on an electrostatic model well accounted for the experimental results.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-05-15
著者
-
間中 孝彰
東工大
-
岩本 光正
東工大
-
MANAKA Takaaki
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
IWAMOTO Mitsumasa
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto Mitsumasa
Dept. Of Phys. Elec Tokyo Tech.
-
WEIS Martin
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
CHEN Xiangyu
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
Ou-Yang Wei
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
Motoji Toshiko
Tokyo Women's Medical University
-
Manaka Takaaki
Department Of Physical Electronics Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Tec
-
Iwamoto Mitsumasa
Department Of Electrical And Electronic Engineering
-
Weis Martin
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
Manaka Takaaki
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
Ou-yang Wei
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
Chen Xiangyu
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
Weis Martin
Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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