パルス電圧印加によるテトラセン電界効果トランジスタ内の電界発光メカニズム(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
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概要
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テトラセン電界効果トランジスタ(FET)に対して、パルス電圧を印加した際に観測されるエレクトロルミネッセンス(EL)の発光メカニズムを明らかにするため、電界誘起光第2次高調波発生(EFISHG)を利用した電界観測を行った。測定結果から、材料内に蓄積された正孔が形成する電界によって電子が自発的に材料内に注入されるため、これらが蓄積している正孔と再結合し、ELが観測されることを明らかにした。また、このような電界観測技術を利用することで、材料内に残留しているトラップ電荷の詳細を明らかにすることも可能であり、FET内でのキャリア挙動を詳細に解析できることを示した。
- 2010-11-05
著者
-
間中 孝彰
東工大
-
岩本 光正
東工大
-
岩本 光正
東京工業大学電子物理工学科
-
間中 孝彰
東京工業大学
-
若本 光正
東工大
-
金 英輝
東京工業大学大学院理工学研究科
-
大嶋 優記
東京工業大学大学院理工学研究科
-
Mori T
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Mori Takehiko
Faculty Of Engineering Tohoku Institute Of Technology
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto M
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
Iwamoto Mitsumasa
Dept. Of Phys. Elec Tokyo Tech.
-
Motoji Toshiko
Tokyo Women's Medical University
-
Mori Takehiko
Department Of Organic Materials Tokyo Institute Of Technology
-
岩本 光正
東京工業大学大学院・理工学研究科
-
Taniguchi M
Division Of Material Chemistry Faculty Of Engineering Kyoto University
-
Manaka Takaaki
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
Mori T
Division Of Hematology Department Of Medicine Keio University School Of Medicine
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