時間分解SHGイメージングによるペンタセンFETへの両極性注入の評価(センサー,デバイス,一般)
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概要
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一般に有機物を用いたデバイスでは材料をドープせずに用いることが多く、デバイス中のキャリア密度は非動作時においては低いと考えられる。このため、デバイス動作にあたっては、キャリア注入が重要なプロセスとなり、注入にキャリア種を制御することも可能となる。実際に同一の有機材料を半導体層に用いた場合でも、適切な電極を選択することで両極性動作が可能となる例が報告されている。しかし、有機半導体材料では、p型を示すデバイスが大半で、移動度等の特性もp型動作時のほうが良好である。絶縁体表面への電子トラップがn型動作における特性低下の主要因とされるが、両極性動作(特にn型動作)についての研究はまだ始まったばかりであり、さまざまな議論がなされている。そこで、我々はこれまで、有機トランジスタ(OFET)の新規評価法として光第2次高調波発生法(SHG)を提案し、有機FETにおけるチャネル形成や、顕微分光による素子中の電界分布計測について検討してきた。また、新規SHG測定に時間分解分光計測と高感度冷却CCDによるイメージングを組み合わせることで、キャリアがFET素子中を流れる様子を画像化して捉えることにも成功した。これは、注入されたキャリアのデバイス中での振る舞いを詳細に検討する上で非常に有効な手法であると考えている。今回、金電極からペンタセン薄膜への両極性注入に着目し、電子・ホールそれぞれのキャリアについて注入の様子および注入後のキャリアの振る舞いを検討したので報告する。
- 2008-10-24
著者
-
間中 孝彰
東工大
-
岩本 光正
東京工業大学電子物理工学科
-
間中 孝彰
東京工業大学
-
林 銀珠
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto Mitsumasa
Dept. Of Phys. Elec Tokyo Tech.
-
中尾 元春
東京工業大学 大学院理工学研究科
-
Manaka Takaaki
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
林 銀珠
東京工業大学 大学院理工学研究科
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