光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
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概要
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積層有機EL試料(IZO/NPB/Alq/Al)にパルス電圧を印加し、電場誘起光第2次高調波発生(EFISHG)法を用いてデバイス内部の電界分布の過渡変化を評価した。マックスウェル・ワグナー効果モデルに基づき電界分布からNPB/Alq3界面での蓄積電荷量を解析すると、EL発光時にはホールの蓄積が起こることがわかった。ホール蓄積に要する時間は外部電圧に大きく依存し、NPB層のホール走行時間よりも非常に長いことがわかった。
- 2009-11-06
著者
-
田口 大
東工大
-
間中 孝彰
東工大
-
岩本 光正
東工大
-
岩本 光正
東京工業大学電子物理工学科
-
間中 孝彰
東京工業大学
-
若本 光正
東工大
-
田口 大
東京工業大学理工学研究科
-
Weis Martin
東京工業大学 大学院理工学研究科
-
マーチン ワイス
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
Mori T
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Mori Takehiko
Faculty Of Engineering Tohoku Institute Of Technology
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto Mitsumasa
Dept. Of Phys. Elec Tokyo Tech.
-
長田 憲司朗
東京工業大学理工学研究科
-
Motoji Toshiko
Tokyo Women's Medical University
-
Mori Takehiko
Department Of Organic Materials Tokyo Institute Of Technology
-
Manaka Takaaki
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
マーチン ワイス
東京工業大学 大学院理工学研究科
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