有機FET内の電界評価に対するグレインサイズの影響(デバイス・評価,有機デバイス全般・一般)
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概要
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有機デバイス内のキャリア輸送を評価する上で重要となる電界分布は、電界誘起光第2次高調波発生(EFISHG)法によって評価できる。このEFISHGは、材料中に誘起されるP_i=χ_<ijkl>E_j(0)E_k(ω)E_1(ω)と表される非線形分極から発生するが、非線形感受率χ_<ijkl>は材料やデバイスの作製プロセスに大きく依存する。それゆえ、この非線形感受率の性質を知ることが、デバイス中の電界分布評価には重要である。多くの有機トランジスタでは、結晶性の低分子材料やπ共役系ポリマーが用いられ、例えば結晶状態と電気特性の関連などが議論されている。本報告では、材料やプロセスによって決まるグレインサイズが有機トランジスタ内の電界評価に及ぼす影響について検討した。例えば、グレインサイズが20nm程度のC60 FETでは、面内を等方的とみなした解析と良く合致し、材料中の電界を測定の偏光条件を選ぶことで選択的に検出できることがわかった。一方で、グレインサイズが大きくなってくると、面内を等方的とみなした解析からずれが生じてくることが分かった。これは、それぞれのグレインが等方的ではない結晶であるために、各グレインからのSHGが相殺されることなく検出されるためであると考えられる。ただし、このような膜においても、選択的な電界評価は可能であることがわかった。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-10-10
著者
-
間中 孝彰
東工大
-
間中 孝彰
東京工業大学
-
若本 光正
東工大
-
田口 大
東京工業大学理工学研究科
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto M
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
岩本 光正
東京工業大学大学院・理工学研究科
-
Taniguchi M
Division Of Material Chemistry Faculty Of Engineering Kyoto University
-
Manaka Takaaki
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
Mori T
Division Of Hematology Department Of Medicine Keio University School Of Medicine
-
松原 幸平
東京工業大学大学院理工学研究科
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