電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価(材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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P3HTを半導体層とするMIS構造素子のCMS、C-V特性を測定した。C-V特性から、電極から注入されたホールの蓄積、空乏状態を評価し、CMS特性から注入したホールがポーラロン準位に入ることを示した。また、CMS測定とインピーダンス測定結果から、下部電極から注入されたホールがP3HT/PI絶縁体界面とP3HT内部に蓄積されることを明らかにした。さらに、光照射や電圧印加による閾値シフトを観測し、光照射によって発生した電子や注入されたホールがP3HT/PI絶縁体界面に蓄積されることを確かめた。以上の結果から、P3HT内部のポーラロン準位に加えて、P3HT/PI絶縁体界面に界面トラップ準位が存在していることを示した。
- 2009-06-12
著者
-
宮沢 亮
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
田口 大
東工大
-
間中 孝彰
東工大
-
岩本 光正
東工大
-
若本 光正
東工大
-
Weis Martin
東京工業大学 大学院理工学研究科
-
マーチン ワイス
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
Mori Takehiko
Faculty Of Engineering Tohoku Institute Of Technology
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto Mitsumasa
Dept. Of Phys. Elec Tokyo Tech.
-
WEIS Martin
東工大
-
Motoji Toshiko
Tokyo Women's Medical University
-
Mori Takehiko
Department Of Organic Materials Tokyo Institute Of Technology
-
Manaka Takaaki
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
マーチン ワイス
東京工業大学 大学院理工学研究科
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