Hysteresis Behavior Analysis of Organic Field Effect Transistor with P(VDF-TrFE) LB film gate-insulator
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概要
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- 2009-05-22
著者
-
間中 孝彰
東工大
-
岩本 光正
東工大
-
MANAKA Takaaki
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
IWAMOTO Mitsumasa
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto Mitsumasa
Dept. Of Phys. Elec Tokyo Tech.
-
WEIS Martin
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
CHEN Xiangyu
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
WEI Ou-Yang
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
Ou-Yang Wei
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
Motoji Toshiko
Tokyo Women's Medical University
-
Manaka Takaaki
Department Of Physical Electronics Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Tec
-
Iwamoto Mitsumasa
Department Of Electrical And Electronic Engineering
-
Weis Martin
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
Manaka Takaaki
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
Ou-yang Wei
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
Chen Xiangyu
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
Weis Martin
Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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