光学的手法によるITO/PI/P3HT/Au構造内部のキャリア挙動の評価(フレキシブルエレクトロニクス)
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概要
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近年、有機材料デバイスは軽量、柔軟性、コスト面で優れる電子デバイスとして注目されており、実用化に向けてその特性の向上が急務である。そのためには、有機トランジスタ内部でのキャリアの注入、蓄積、輸送過程を理解する必要があるが、有機材料内部のキャリアが不明確であるため電流電圧特性といった間接的な手法を使っただけで、キャリア挙動を理解することは困難である。そこで本研究では光第二次高調波(SHG)法といった光学的手法を用いて、有機材料内部のキャリア挙動を直接観測し、有機デバイスの動作機構を明らかにすることを目指している。これまでにC-V特性からITO/PI/P3HT/AuのMIS構造内部に光照射やバイアス印加によって電子がトラップされることがわかったが、その空間的位置は不明であった。そこで、電子トラップがP3HT内部に形成する電界からトラップ分布を得るために電界誘起光第二次高調波発生(EFISHG)測定を行い解析した。そして電子トラップはPI絶縁体内部に蓄積されることが明らかにした。
- 2010-07-05
著者
-
宮沢 亮
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
田口 大
東工大
-
間中 孝彰
東工大
-
岩本 光正
東京工業大学電子物理工学科
-
間中 孝彰
東京工業大学
-
若本 光正
東工大
-
田口 大
東京工業大学理工学研究科
-
岩本 光正
東京工業大学
-
岩本 光正
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
田口 大
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
間中 孝彰
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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