EFI-SHG法によるフレキシブル有機トランジスタの特性評価 : 曲げ変形の効果(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
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概要
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有機半導体層をTIPS-pentacene、ゲート絶縁膜をポリイミドとしたフレキシブルトランジスタを作製し、曲げ変形によるトランジスタ特性への効果を評価した。曲げ変形により引張り応力がトランジスタチャネル方向に働く場合は実効キャリア移動度が減少し、圧縮応力が働く場合は増大した。また、曲げ変形による実効キャリア移動度の変化を誘電体理論に基づいて考察し、ゲート絶縁膜の変形から予想されるよりも大きく変化していることを明らかにした。さらに顕微電界誘起光第2次高調波発生(EFI-SHG)法によりフレキシブルトランジスタのチャネル部のキャリア挙動の観察を行った。
- 2012-11-09
著者
-
間中 孝彰
東工大
-
間中 孝彰
東京工業大学
-
若本 光正
東工大
-
田口 大
東京工業大学理工学研究科
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto M
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
岩本 光正
東京工業大学大学院・理工学研究科
-
Taniguchi M
Division Of Material Chemistry Faculty Of Engineering Kyoto University
-
Manaka Takaaki
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
-
Mori T
Division Of Hematology Department Of Medicine Keio University School Of Medicine
-
阿部 洋平
東京工業大学理工学研究科
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