強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価(材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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強誘電体をゲート絶縁膜とするペンタセンFETを用いて、ソース・ドレイン電極にAuを用いた場合とAlを用いた場合の特性の違いを評価した。Auを用いた場合には、ソース・ドレイン電極からペンタセン内へのホールの注入が容易に起こるが、Alを用いた場合では容易に起こらない。そのため、強誘電体の自発分極が反転する電圧に違いが現れる。また、ソース・ドレイン電極にAlを用いた場合では自発分極が反転する電圧が印加電圧のスイープ速度に大きく依存する。これらの結果は、注入障壁の大きさの違いにより、単位時間にペンタセンFETチャネルに注入される電荷量が異なるためである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-20
著者
-
吉田 周平
東京工業大学大学院理工学研究科
-
岩本 光正
東京工業大学電子物理工学科
-
間中 孝彰
東京工業大学
-
林 銀珠
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto Mitsumasa
Dept. Of Phys. Elec Tokyo Tech.
-
田村 亮祐
東京工業大学大学院理工学研究科
-
田村 亮祐
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
林 銀珠
東京工業大学 大学院理工学研究科
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