分光学的手法による金属上フタロシアニン薄膜の表面電位評価(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
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概要
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2種類の異なった物質を接触させると,フェルミ準位の違いに伴って界面近傍で電荷移動が起こり,表面電位が発生する.これまで表面電位はケルビン法に代表される電気的手法で観測されてきたが,本論文では光学的手法による表面電位の観測を報告する.表面電位はフタロシアニンをアルミ及び金基板上にLB法を用いて累積し,光第2次高調波発生(SHG)のスペクトルを測定することで評価を行った.フタロシアニンは分子自身が反転対称中心を有するので,双極子近似ではSHGは観測されず,通常4重極子などの高次の寄与によって発生する.測定の結果,金基板上のスペクトルではピーク位置が,ガラス基板上サンプルのピークとほぼ一致し,4重極子が支配的になっていることがわかった.一方,アルミ基板上では,SH波長におけるスペクトルピークが可視吸収ピークとほぼ一致し,これは表面電位によって活性化されたSHGであることが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-01
著者
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