金属/PILB膜/金属構造素子の空間電荷分布とC-V特性
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概要
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金属PILB膜界面の電子現象や界面の電子状態を着目し、金属/PILB膜/金属構造素子のC-V特性を調べた。そして、界面における電子アクセプタ性準位がGaussian分布に従うと仮定し、外部電圧を印加した時の素子の容量や容量の変化を算出した。この結果、正電圧を印加すると、容量が膜厚の増加とともに減少するが、負電圧を印加すると、容量が若干増加することか明らかになった。また、空間電荷密度が印加電圧に強く依存しないことが分かった。さらに解析結果は実験結果とよく一致するこども分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
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