有機FETの有機/金属ナノ界面における帯電現象の評価と界面処理による制御(有機超薄膜と有機デバイス, 一般)

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概要

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有機FET材料としてしばしば用いられているペンタセンの金属基板上蒸着膜における界面帯電現象の新規な非線形光学的手法(SHG : 光第2次高調波発生)による観測とUVオゾン処理による制御について検討した。ペンタセンはアルミ上に蒸着することで、負の表面電位が発生する。ペンタセン/アルミ構造のSHGスペクトルを測定すると、ガラス上では確認できなかった吸収スペクトルピークと同位置のSHピークが観測された。光照射により、このピークの減少も確認でき、表面電位で活性化されたSHGと結論づけた。一方、ボトムコンタクト型ペンタセンFETにおいて、ソース・ドレイン電極のUVオゾン処理により、閾値電圧の減少、移動度の増加が確認できた。表面電位測定から、UVオゾン処理を施した金電極上のペンタセン薄膜では正の表面電位が観測されている。正の表面電位発生は金電極周辺へのホールの蓄積を示しており、このホールがチャネルの形成に寄与し、閾値電圧の減少をもたらしたと考えられる。
2005-01-21

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