光照射時の金属/フタロシアニンLB膜界面の帯電機構
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概要
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金属/有機薄膜界面における接触帯電現象は、デバイス特性に大きな影響を与えると考えられている。そこで、界面の帯電特性・帯電機構を明らかにすることを目的として、金属電極上に累積したCu-tetra-(tert-butyl)-phthalocyanine(CuttbPc)Langmuir-Blodgett(LB)膜の表面電位測定を暗状態・明状態にて行い、金属/フタロシアニンLB膜界面近傍に存在する空間電荷分布及び界面電子性準位密度の分布を求めた。さらに、表面電位法を用いて膜電位の光過渡応用特性を解析し、帯電現象の発生機構について考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-05
著者
-
真島 豊
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
岩本 光正
東京工業大学電子物理工学科
-
辻田 亘
東京工業大学電子物理工学専攻
-
辻田 亘
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
土田 雅基
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
岩本 光正
東京工業大学
-
真島 豊
東京工大
-
真島 豊
東京工業大学
-
辻田 亘
東京工業大学大学院 電子物理工学専攻
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