アルカンチオールSAM上における金属内包フラーレンEr@C_<82>のSTM/STSの吸着場所依存性(自己組織化技術,有機材料一般)
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概要
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金属内包フラーレンを用いた単一分子配向スイッチの液体窒素温度動作に向けて、極低温超高真空走査型トンネル顕微鏡(LT-UHV-STM)を用いて、アルカンチオール自己組織化単分子膜(SAM)上の金属内包フラーレンEr@C_<82>におけるSTM/STS(走査型トンネル分光)測定の吸着場所依存性の検討を行った。dI/dV波形から、オクタンチオールSAMのStep edgeおよびTerras上では同じ位置にLUMOおよびHOMOのピークが観察され、同じギャップ幅になったのに対し、Etch pit上ではギャップ幅は広く、Boundary上では狭く観察された。エネルギーダイアグラムからStep edgeおよびTerras上におけるEr@C_<82>のHOMO-LUMOギャップは0.5eVと見積もられ、フェルミ準位はHOMOから0.1eV高い位置にあることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-19
著者
-
安武 裕輔
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
岩本 全央
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
真島 豊
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
河野 馨士朗
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
小林 昇洋
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
大窪 清吾
独立行政法人産業技術総合研究所ナノカーボン研究センター
-
岡崎 俊也
独立行政法人産業技術総合研究所ナノカーボン研究センター
-
岡崎 俊也
産総研ナノチューブ応用セ・ナノテク
-
真島 豊
東京工業大学応用セラミックス研究所:crest-jst
-
真島 豊
東京工業大学
-
真島 豊
東京工業大学 応用セラミックス研究所
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