ナノ粒子と無電解メッキナノギャップ電極を用いた単電子トランジスタ(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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我々は単電子トランジスタの製造技術の確立に向けてこれまでに、単電子デバイスにおけるクーロン島として金ナノ粒子に注目し、Scanning Tunneling Microscopy(STM)を用いて1.8nmの粒径の金ナノ粒子が常温でクーロン島として機能することを示してきた。また、固体基板上電子デバイスの構築に向けて、無電解メッキを用いて5nmのギャップ長を有するナノギャップ電極を1度に高歩留まりで作製する手法を確立してきた。さらに、ナノギャップ電極間に金ナノ粒子を化学吸着法により導入した単電子トランジスタの動作を報告した。本報告では、これらの内容を基礎として、我々の最近の単電子トランジスタ・分子デバイスの構築に向けた研究の進展について概説する。
- 2011-04-08
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