ポルフィリン自己組織化単分子膜によるペンタセンTFTの接触抵抗の低減(材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ(TFT)における接触抵抗の低減を目的とし、金電極・ペンタセン薄膜界面にポルフィリン骨格を有する分子を自己組織化単分子膜(SAMs)として形成したボトムコンタクト型ペンタセンTFTの作製を行った。偏光顕微鏡による観察の結果、SAMsが形成された金電極上でのペンタセン結晶のグレインサイズはSAMsを形成していないものに比べて約5倍程度大きくなることが確認された。また素子抵抗のチャネル長依存性を測定するTransfer Line Method (TLM)により金電極-ペンタセン薄膜界面の接触抵抗を見積もったところ、SAMsが形成されたTFTの接触抵抗はSAMsが形成されていないものに比べ半分以下となっていることから、ポルフィリンSAMsは接触抵抗の低減に有効である。
- 2010-06-18
著者
-
真島 豊
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
田中 健太郎
名古屋大学
-
寺西 利治
筑波大院数理物理科学研究科化学専攻
-
金原 正幸
筑波大院数理物理科学研究科化学専攻
-
東 康男
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
鈴木 太陽
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
山田 泰之
名古屋大学大学院理学研究科
-
金原 正幸
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
寺西 利治
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
東 康男
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
金原 正幸
筑波大院数理物質科学研究科化学専攻:crest-jst
-
山田 泰之
名古屋大学大学院理学研究科:crest-jst
-
田中 健太郎
名古屋大学大学院理学研究科:crest-jst
-
鈴木 太陽
東京工業大学応用セラミックス研究所:crest-jst
-
真島 豊
東京工業大学応用セラミックス研究所:crest-jst
-
真島 豊
東京工業大学
-
真島 豊
東京工業大学 応用セラミックス研究所
-
東 康男
東京工業大学 応用セラミックス研究所
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