DCストレス印加時の有機FET特性に関する研究
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概要
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有機FETにおいてはゲート電圧掃引などの履歴により、FET特性が変化することが問題となっている。本研究では一定ゲート電圧及び一定ドレイン電圧印加時のドレイン電流の時間依存性を測定し、FET特性の閾値電圧がシフトする原因を解明することを目的とする。チャネル材料としてペンタセンを用いたトップコンタクト型FETを作製し、ドレイン電流の時間依存性を測定したところ時間と共に電流値が減少した。指数関数型のトラップ分布を仮定した式を用いて時間依存性の解析を行ったところ実験結果をよく再現したことからチャネル内におけるキャリアトラップが閾値電圧を変化させていると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-20
著者
-
安武 裕輔
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
真島 豊
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
川上 大介
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
-
森野 芳昭
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
-
西沢 秀之
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
-
西沢 秀之
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリー
-
西沢 秀之
(株)東芝 研究開発センター
-
真島 豊
東京工業大学
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