キラルなポリジアセチレン薄膜の作製とその重合過程の検討(材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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光重合過程への円偏光の導入により、キラルなポリジアセチレン(PDA)薄膜の作製が可能である。本手法では、モノマー蒸着時の基板温度や重合後の相変化(青相-赤相)が、誘起キラリティーの強さや安定性に影響を与えることが分かっている。本論文では、そのキラルなPDA薄膜を用いた電気的・光学的特性に言及すると共に、下層をキラル有機膜とした、上層PDA薄膜へのキラリティー誘起の可能性を検討する。
- 2010-06-18
著者
-
間中 孝彰
東工大
-
岩本 光正
東工大
-
岩本 光正
東京工業大学電子物理工学科
-
間中 孝彰
東京工業大学
-
若本 光正
東工大
-
金 英輝
東京工業大学大学院理工学研究科
-
篠 竜徳
東京工業大学大学院理工学研究科
-
大嶋 優記
東京工業大学大学院理工学研究科
-
Mori T
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Mori Takehiko
Faculty Of Engineering Tohoku Institute Of Technology
-
岩本 光正
東京工業大学
-
Iwamoto Mitsumasa
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Iwamoto M
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
Iwamoto Mitsumasa
Dept. Of Phys. Elec Tokyo Tech.
-
Motoji Toshiko
Tokyo Women's Medical University
-
Mori Takehiko
Department Of Organic Materials Tokyo Institute Of Technology
-
Manaka Takaaki
Graduate School Of Science And Engineering Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tec
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