ケルビンプローブ法およびSHG法によるAlq_3蒸着膜の巨大表面電位の評価(機能性有機薄膜・一般)
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概要
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Alq_3 (Tris(8-quinolinolato) aluminum)蒸着膜で形成される巨大表面電位の増加をケルビン法(表面電位法)で観測した。表面処理による表面電位の変化は薄膜中の双極子の配向秩序によって発生するとして検討した。アルミ基板上に堆積されたAlq_3蒸着膜では配向オーダーパラメータ(平均の配向角)はS_1=0.036 (θ=87.9°)からS_1=0.058 (θ=86.7°)に変化した。また光照射後では電子性の表面電位が残るが、UV処理を施すことにより、アルミ基板上では負方向にこの表面電位が増加した。このことよりAlq_3蒸着膜のエネルギー構造がUV処理により変化することが明らかになった。また熱処理によるアルミ基板上の表面電位の減衰の様子から、アルミ基板上では電極からの電子注入が存在するとして検討した。UV処理を施したアルミ基板上では減衰が80-90℃で生じたのに対し、未処理のアルミ基板上では約50-60℃で減衰した。これにより、UV処理によってアルミ酸化膜が絶縁体として機能することで、電子注入障壁が高くなったと推測した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-18
著者
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