日野 太郎 | 東京工業大学
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概要
関連著者
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日野 太郎
東京工業大学
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山下 建
日本板硝子
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加藤 景三
新潟大
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鈴木 正明
東京工業大学工学部電気電子工学科
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鈴木 正明
東京工業大学工学部
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金子 双男
新潟大学工学部
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岩本 光正
東京工業大学電子物理工学科
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山中 俊一
東京工業大学工学部
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岩本 光正
東京工業大学
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福沢 雅弘
九州産業大学工学部電気工学科
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斎藤 幸男
東京工業大学
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山中 俊一
東京工業大学
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山下 建
東京工業大学工学部電気電子工学科
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鈴木 建哉
東京工業大学工学部電気電子工学科
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岩本 光正
東京工業大学工学部電気電子工学科
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日野 太郎
東京工業大学工学部
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日野 太郎
東京工業大学工学部電気電子工学科
著作論文
- 温度勾配熱刺激電流によるγ線照射ポリエチレン中のキャリヤトラップの極性判定
- 温度こう配熱刺激表面電位による絶縁体中Zero-Field Planeの位置測定
- LBヘテロ膜におけるポテンシャル井戸の発生
- 超薄膜MIM素子の発生電圧
- 針-平板電極による低密度ポリエチレンの熱刺激電流と空間電荷の測定
- 2層誘電体に見られる熱刺激電流現象
- イオン空間電荷分極TSCの数値解析
- ポリエチレンテレフタレ-トの絶縁破壊に及ぼすイオン空間電荷の効果
- バルク空間電荷の評価法 (固体誘電体中の空間電荷の解析(技術ノ-ト))
- 熱刺激測定からみた誘電体中の電荷特性
- ポリエチレンテレフタレ-ト中の可動イオンの電極界面における中性化と再イオン化
- 絶縁膜中のイオン空間電荷分布および分極の計算法
- 熱刺激による方法 (半導体の深い不純物に関する実験技術(技術ノ-ト))
- 熱刺激表面電位によるMIS界面準位の測定法
- MIS構造絶縁膜中の可動イオンの中性化
- 絶縁体中のトラップ電子による熱刺激電流とその律速過程
- 熱刺激電流による絶縁膜への注入電荷と注入距離の測定
- 熱刺激電流を用いた絶縁材料の評価法
- 可動イオンの中性化と再イオン化による直流定常電導とその特性
- ポリエチレンテレフタラ-トにおける可動イオンのTSCとイオン伝導 (高分子の電気物性)
- ポリエチレンテレフタレ-トのイオン空間電荷分極
- 質量分析計による電気絶縁材料の熱劣化試験
- 高分子薄膜化による新機能発現
- 概説 (ハイテクの電気エネルギ-技術への応用) -- (有機系新素材)
- エリプソメトリーによるLB膜の評価
- コロナ帯電によるポリプロピレンフィルムの表面電荷とフィルム内注入電荷の分離測定
- 温度こう配熱刺激測定法とトラップキャリヤの極性
- 架橋ポリエチレンのイオン空間電荷と熱刺激電流
- ホッピングモデルによるイオン空間電荷分極誘電分散の理論解析
- ホッピングモデルによるイオン空間電荷分極緩和の理論解析
- 高分子薄膜の光電変換特性
- TSCによるTa2O5膜内のキャリアとその導電特性の検討
- ホッピング法によるポアソン場解析のための等価回路モデル
- ホッピング法による過渡空間電荷制限電流の解析と数値計算
- ホッピング法による二次元ポアソン場の数値解析
- ホッピング法を用いたイオン空間電荷分極による大信号交流応答の数値解析
- 実効移動度と電流注入特性を用いたホッピング法によるポリエチレンの空間電荷特性解析
- ホッピング法を用いた空間電荷分極による誘電分散の数値解析
- ホッピングモデルによる拡散と電極界面電界を考慮したSCLCの数値解析およびその実例
- ホッピングモデルによるイオン過渡電流の数値解析法とその物性定数測定への応用
- 絶縁体中の電子伝導の解析と数値計算に対するホッピングモデルの提案
- ホッピングモデルによるイオン空間電荷分布並びに分極の計算法
- 高分子の熱刺激電流(TSC)
- 高分子薄膜化による新機能発現
- ガラス転移温度に観測される熱刺激電流