ヘテロ構造ポリイミドLB膜の過渡光電圧測定
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概要
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過渡光電圧を測定するシステムを試作し、ヘテロ構造ポリイミド(PI)LB膜(ITO/PI/POR/AR/Al)内の電子移動に関する研究を行った。POR LB膜の層数(n)によって、過渡光電圧の方向が変化することから、二種類の電子移動過程があると考えられた。n>3の時、過渡光電圧のピーク値はPOR膜の層数が増えるとともに大きくなる。発生電圧がピーク値の半分となる時間t_<50%>に大きな変化が見られないが、発生電圧のピーク値はバイアス電圧に比例して増加した。こうした特性をPOR膜内の電子の発生をオンサガーモデルにより説明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-19
著者
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