集束イオンビームによる有機分子電気測定用ナノギャップ電極の作製
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概要
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単一有機分子の電気伝導特性が測定可能なナノギャップ電極を作製することを研究目的とし、集束イオンビームを用いた新たなナノギャップ電極作製法を提案し、ナノギャップ電極を試作した。その結果、SiO_2絶縁膜上にギャップ長約8nmのAu/Ptナノギャップ電極を作製することができた。電気伝導特性測定より、ナノギャップ電極は低電圧領域では十分絶縁されていることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-10
著者
-
永瀬 隆
大阪府大院工
-
久保田 徹
情報通信研究機構未来ictセンター
-
益子 信郎
通信総合研究所関西先端研究センター
-
Kubota T
Department Of Chemistry Graduate School Of Science The University Of Tokyo
-
久保田 徹
通信総合研究所関西先端研究センター
-
永瀬 隆
通信総合研究所 関西先端研究センター
-
Kubota Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Denki University
-
益子 信郎
情報通信研究機構
-
益子 信郎
情報通信研究機構 関西先端研究センター ナノ機構グループ
-
Kubota Takeshi
Niihama National College Of Technology
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