15aPS-56 STM による機能性分子薄膜の構造評価(領域 9)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
照井 通文
情報通信研究機構未来ICT研究センター
-
益子 信郎
情報通信研究機構関西先端研究センター
-
照井 通文
情報通信研究機構
-
阿波賀 邦夫
名大理
-
益子 信郎
情報通信研究機構
-
阿波賀 邦夫
名古屋大学 物質科学国際研究センター
関連論文
- 20aPS-15 磁性体中空球の伝導度測定III(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 14aWG-4 2 次元 S=1 カゴメ反強磁性体 m-RPYNN 塩の磁化過程と磁場中磁化率(フラストレーション系, スピングラス・ランダム系, 領域 3)
- 22aPS-10 サルフラワー薄膜の光電子分光(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aXK-10 カゴメ格子磁性体m-MPYNN・BF_4のゼロ磁場および磁化plateauにおける磁化率測定(24aXK 量子スピン系(二次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pXR-2 S=1カゴメ格子及びひずんだカゴメ格子反強磁性体の磁場中磁化率(フラストレーション系)(領域3)
- 31pXG-3 2 次元 S=1 カゴメ反強磁性体 m-MPYNN 塩の磁場中比熱と磁化率
- スプレージェット法 : 装置開発とその応用(有機材料・一般)
- 21aRF-1 Kobe EBISを用いた固体表面への多価イオン照射実験(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- ナノプロセス用電子ビーム多価イオン源の開発II
- 24pYP-2 分子磁性体BBDTA・GaBr_4 : II.低温物性(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aTC-6 2 次元 S=1 スピンギャップ反強磁性体 m-MPYNN・BF_4 の磁場中磁化率
- 25pPSB-29 酸化物基板上における単一有機分子コンフォメーションの精密観測と制御(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- CS-11-12 分子の構造に依存した分子超構造形成(CS-11.有機エレクトロニクスにおける分子幾何学-界面・超構造・配向およびデバイス形成におけるトポロジー-,シンポジウム)
- 基板上ポルフィリン系分子構造体のナノスケールにおける観察と配置制御 : 非接触原子間力顕微鏡による高分解能観察
- 15aPS-70 非接触型原子間力顕微鏡による STO 単結晶表面の原子スケール分解能観測(領域 9)
- 27pPSB-46 Co中空球殻状クラスターの孤立状態形成(27pPSB 領域3ポスターセッション(酸化物磁性,スピングラス・ランダム・アモルファス系,量子スピン系(一次元系,二次元系),量子スピン系(クラスターおよび一般),フラストレーション系,実験技術開発,磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-43 フタロシアニン誘導体のクラスター構造のSTM観察(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-56 STM による機能性分子薄膜の構造評価(領域 9)
- 27pPSA-28 STMによる基板上での有機分子の構造と形態の観察(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 29pXN-7 多価イオン照射によるシリコン表面の改質I(原子・分子)(領域1)
- 20aPS-39 金属基板上ポルフィリン分子の STM 観察と評価 III
- 28pPSB-23 金属基板上のポルフィリン分子の STM 観察と評価 II
- 28p-M-6 La_xC_薄膜におけるアニール効果
- 6p-D-15 La_xC_薄膜の作製と評価V
- 29a-D-14 La_xC_薄膜の作製と評価IV
- La_xC_薄膜の作製と評価III
- 逐次蒸着法によるLa_xC_薄膜の作製と評価
- 1p-C-13 La_xC_薄膜の作製と評価II
- 逐次蒸着によるLa_xC_薄膜の作製
- 29a-J-4 La_XC_60薄膜の作製と評価
- 24pPSA-27 有機分子ユニットの逐次蒸着による超分子構造作成(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 非揮発性分子研究のためのスプレー・ジェット技術 : 分子ビーム装置開発と改良(有機材料,一般)
- 非揮発性分子研究のためのスプレー・ジェット技術 : 分子ビーム装置開発と改良
- 非揮発性分子の研究のためのスプレー・ジェット法 : 分光研究と分子ビーム堆積
- CS-12-2 NICTにおける分子ナノテクノロジー研究(CS-12. 次世代ナノ技術と情報通信, エレクトロニクス2)
- 有機分子によるナノメートルサイズ構造の構築とその観察 (関西先端研究センター特集) -- (ナノ・デバイス技術--極限物質の新機能から情報通信技術へ)
- 27aYD-8 テトラキス(チアジアゾール)ポルフィラジン薄膜のnキャリア光伝導(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYF-8 非線形伝導を示すNT_3GaCl_4における電流発振現象とEPR(30aYF θ-ET系等,電荷秩序,非線形伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aPS-121 磁性体中空球の伝導度測定II(27aPS 領域3ポスターセッション(遍歴磁性体・化合物磁性体・f電子系・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSA-19 磁性体中空球の伝導度測定(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aPS-119 Fe_3O_4中空球の伝導度測定(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aRB-8 有機磁性分子結晶内に形成される様々な磁気ネットワーク(19aRB 量子スピン系(クラスタ一系及び,一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aXK-11 有機磁性分子を含む一次元配位高分子錯体が示すspin-Peierls転移と構造変化(23aXK 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-25 中空球殻状磁性体クラスターの単体伝導度評価(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30aSB-7 1次元有機磁性体β-BBDTA・GaBr_4の次元性と相互作用(30aSB 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pPSB-40 有機磁性分子が形成する二次元正方格子における磁気秩序転移(27pPSB 領域3ポスターセッション(酸化物磁性,スピングラス・ランダム・アモルファス系,量子スピン系(一次元系,二次元系),量子スピン系(クラスターおよび一般),フラストレーション系,実験技術開発,磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pPSB-9 サブミクロン球殻磁性体が示す特異な物性 : 磁性、比熱、伝導性、表面修飾(27pPSB 領域3ポスターセッション(酸化物磁性,スピングラス・ランダム・アモルファス系,量子スピン系(一次元系,二次元系),量子スピン系(クラスターおよび一般),フラストレーション系,実験技術開発,磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aPS-67 マグネタイトサブミクロン中空球の磁性(領域3ポスターセッション,化合物磁性,酸化物磁性,f電子系磁性,スピングラス・ランダム系・アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aPS-66 コバルト及び酸化コバルトから成るサブマイクロメーター中空球の磁性(領域3ポスターセッション,化合物磁性,酸化物磁性,f電子系磁性,スピングラス・ランダム系・アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aXH-13 分子磁性体β-BBDTA・GaBr_4磁場中比熱(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-84 希土類酸化物および希土類錯体からなる中空球クラスターの合成と光物性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aRB-11 放射光単結晶X線回折による有機半導体NT_3GaCl_4の電子状態の観測(26aRB 非線形伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pXR-1 Crを含むナノスケール磁性体Mn_CrAc中の^Mn NMRとQuantum Tunneling(量子スピン系(クラスター系及び一般))(領域3)
- 21aPS-69 Cr を含むナノスケール磁性体 Mn_CrAc 中の ^Mn NMR
- 20pTC-5 ナノスケール磁性体 Mn_Ph 中の ^Mn NMR と分子磁気緩和の Quantum Tunneling III
- 27pYD-8 ジアリールエテン-金ナノ粒子複合系のSET特性と光照射効果(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pRH-8 SEM・AFMによる多価イオン照射領域の観察(25pRH 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aRL-9 オリゴチオフェン-金ナノ粒子ハイブリッドを用いた単一電子トランジスタにおけるdouble-dotの伝導特性(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
- 多価イオンによる表面改質効果
- 多価イオンによる表面改質効果
- CS-9-7 有機分子ワイヤ素子の電子特性(CS-9.次世代のエレクトロニクスを支える有機デバイス・マテリアルの展開,シンポジウム)
- 単一分子電子素子および分子ナノワイヤの作製と応用
- ナノ電解法による有機導体ナノワイヤ
- ナノ電解法による有機導体ナノワイヤ(有機超薄膜と有機デバイス, 一般)
- 22pPSB-25 Au(111)表面上におけるポルフィリンダイマー自己組織化配列のSTM観察(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-10 ポルフィリンヘテロダイマーにおける配位金属に対応した電子状態変化のSTM/STS測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-41 ポルフィリンアレイ分子のUHV-STM観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aRC-9 オリゴチオフェン系ワイヤー分子-金ナノ粒子複合系のナノギャップ電極を用いた電気伝導特性(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
- オリゴチオフェン分子及びオリゴチオフェン-金微粒子複合系の電気伝導特性
- オリゴチオフェン分子及びオリゴチオフェン-金微粒子複合系の電気伝導特性
- オリゴチオフェン分子及びオリゴチオフェン-金微粒子複合系の電気伝導特性
- 18aTG-10 ポルフィリンヘテロダイマーにおける分子内PN接合のSTM/STS観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pYE-10 多層化した表面自己組織ポルフィリンの低温STM観察(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-150 ポルフィリン自己組織化表面上に配列したC_分子の低温STM観察(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- CS-10-7 単一有機分子による電子・光機能素子(CS-10. 有機電子・光機能デバイスの新展開, エレクトロニクス2)
- 有機単一電子トンネル接合の電流-電圧特性における光照射効果(有機材料・一般)
- CS-9-2 分子ロジック構築へ向けた単一分子素子の電子特性(CS-9.有機エレクトロニクス・分子エレクトロニクスの新展開,シンポジウム)
- 集束イオンビームによる有機分子電気測定用ナノギャップ電極の作製
- 24pPSA-26 酸化コバルトナノ中空球が示す自発磁化(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 有機単一電子トランジスタの作製(有機材料,一般)
- 24pYP-1 分子磁性体BBDTA・GaBr_4 : I.結晶構造(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 13aWG-1 有機ラジカル系スピンパイエルス物質 BBDTA・InCl_4 の一軸加圧効果(量子スピン系 : 一次元, 領域 3)
- 12aPS-66 分子性磁性体 BBDTA・X(X=Cl, Br, l) の結晶構造と磁気的性質(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 13pWF-2 有機ラジカル強磁性体 BBDTA・GaCl_4 の圧力効果(分子磁性体, ハロゲン架橋錯体, 領域 7)
- 単分子磁性体の物性と機能
- ナノプロセス用電子ビーム多価イオン源の開発
- 有機非線形光学色素溶液からの3次のハイパーレーリー散乱
- 有機エピタキシャル膜の光電変換効果
- 有機エピタキシャル膜における分子配向のエネルギー計算
- 有機エピタキシャル膜の成長素過程の観察
- 29pYB-7 Ag(110)上に低温配列したポルフィリン分子のSTM観察(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-41 Ag(110)表面上に配列したポルフィリン分子の低温STM観察(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- キラルフォトニックバンド液晶によるレーザー発振制御
- 20pTC-8 Mn_Cr 分子クラスターのスピンハミルトニアン-プラスター効果
- 27pPSA-39 バクテリオロドプシン薄膜のSPMによる構造評価(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-49 バクテリロドプシン薄膜の作製と構造評価(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 8aPS-99 超低温・磁場中におけるMn_ACのトンネル効果の^Mn NMRによる観測(遍歴磁性,化合物磁性,スピングラス・ランダム系,量子スピン系,磁気共鳴一般,実験技術開発等,領域3)
- ディップコーティング法により作製されたバクテリオロドプシン薄膜の配向評価 : SHGにおけるキラリティーと絶対的配向(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
- ディップコーティング法により作製されたバクテリオロドプシン薄膜の配向評価 : SHGにおけるキラリティーと絶対的配向(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
- 7pWB-3 超高速掃引磁場下の分子磁性体の磁化緩和(分子磁性・クラスター,領域3)