29pXN-7 多価イオン照射によるシリコン表面の改質I(原子・分子)(領域1)

元データ 2004-03-03 社団法人日本物理学会

著者

戸名 正英 神戸大学理学研究科
中村 信行 電通大レーザー
大谷 俊介 電通大レーザー
桜井 誠 神戸大理
山田 千樫 電通大量子・物質
櫻井 誠 神戸大理
戸名 正英 CREST JST
吉安 信雄 電通大量子物質
高橋 学士 電通大レーザー
照井 通文 情報通信研究機構
照井 通文 通総研関西
大谷 俊介 電通大レーザー研
櫻井 誠 神戸大院理物理
桜井 誠 神戸大学

関連論文

▼もっと見る