29pXN-7 多価イオン照射によるシリコン表面の改質I(原子・分子)(領域1)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 戸名 正英

  神戸大学理学研究科

• 中村 信行

  電通大レーザー

• 大谷 俊介

  電通大レーザー

• 桜井 誠

  神戸大理

• 山田 千樫

  電通大量子・物質

• 櫻井 誠

  神戸大理

• 戸名 正英

  CREST JST

• 吉安 信雄

  電通大量子物質

• 高橋 学士

  電通大レーザー

• 照井 通文

  情報通信研究機構

• 照井 通文

  通総研関西

• 大谷 俊介

  電通大レーザー研

• 櫻井 誠

  神戸大院理物理

• 桜井 誠

  神戸大学

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