山田 千樫 | 電通大量子・物質
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概要
関連著者
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山田 千樫
電通大量子・物質
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大谷 俊介
電通大レーザー研
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大谷 俊介
電通大レーザー
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中村 信行
電通大レーザー
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山田 千樫
電通大レーザー
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桜井 誠
神戸大理
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櫻井 誠
神戸大院理物理
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桜井 誠
神戸大学
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戸名 正英
神戸大学理学研究科
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渡辺 裕文
中部大
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吉安 信雄
電通大量子物質
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大谷 俊介
電通大レーザーセ
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桜井 誠
神戸大院理物理
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大谷 俊介
電気通信大学レーザー新世代研究センター
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高橋 学士
電通大レーザー
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戸名 正英
高知工科大学
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櫻井 誠
神戸大理
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戸名 正英
CREST JST
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絹川 亨
神戸大
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絹川 亨
神戸大大教推進
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渡辺 裕文
CREST JST
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渡辺 裕文
Crest:科学技術振興機構
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古橋 治
立教大先端科計研
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永田 一夫
電通大レーザー
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藤田 祐崇
電通大レーザー
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大谷 俊介
電通大 レーザーセンター
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大谷 俊介
電通大
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村田 好正
東大生研
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Currell Fred
クィーンズ大ベルファスト
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Currell Frederick
電通大レーザー研
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カレル フレッド
電通大
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Currell F.
Queens' Univ.
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阿部 崇
電通大レーザー
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孫 建
電通大レーザー
-
戸名 正英
電通大レーザー
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倉本 秀治
科技団
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孫 建
中部大学
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絹川 亨
科技団
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山田 千樫
科技団多価冷イオンプロジェクト
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深見 恒光
電通大
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加藤 太治
核融合科学研究所
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益田 周防海
電気通信大学レーザー新世代研究センター
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鈴木 洋
電通大レーザー
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加藤 大治
核融合研
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村田 好正
電通大
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大谷 俊介
科技団:電通大レーザー
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渡辺 裕文
電通大レーザー
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高柳 俊暢
上智大理工
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孫 健
電通大レーザー
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飛山 廣継
電通大レーザーセ
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加藤 太治
科技団多価冷イオンプロジェクト
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酒井 康弘
東邦大理
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益田 周防海
電通大レーザー研
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梅田 直樹
電通大レーザー
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古橋 治
電通大レーザーセンター
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馬場 由香里
電通大レーザー
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酒井 康弘
東邦大 理
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Kavanagh A
クィーンズ大ベルファスト
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坂上 裕之
核融合研
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加藤 太治
核融合研
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小泉 哲夫
立教大理
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小泉 哲夫
立教大先端科計研
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平山 孝人
立教大先端科計研
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絹川 亨
立教大先端科計研
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清水 宏
科学技術振興事業団
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坂上 裕之
テキサスa&m大
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渡部 力
電通大レーザー
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櫻井 誠
神大理
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中村 信行
電気通信大学レーザー新世代研究センター
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Kavanagh Anthony
QUB
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Currell Fred
QUB
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佐藤 鏡文
電通大レーザー
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渡辺 裕文
科技団多価冷イオンプロジェクト
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平山 考人
学習院大理
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平山 孝人
立教大先端科計研:立教大理
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高柳 俊暢
上智大 理工
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清水 宏
科技団
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苑 震生
中国科技大
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藤田 植崇
電通大レーザー
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Schuessler H
テキサスa&m大
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Shuessler H.
テキサス大
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種村 徹雄
電通大
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佐藤 井一
兵庫県立大理
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マニシャ クンドゥ
電通大
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絹川 亨
科学技術振興事業団
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古橋 治
島津製作所
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中村 信行
電通大
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山田 一博
核融合研
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岡田 邦宏
上智大理工
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山崎 詔
電通大量子・物質
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縄田 祐治
電通大量子・物質
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電通大物理
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東工大・総理工
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北京応用物理計算数学研
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大谷 俊介
CREST JST
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小林 朋弘
電通大レーザー
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中山 亮
電通大量子物質
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島崎 隆宏
電通大レーザー
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大谷 俊行
電通大レーザー
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俵 博之
クィーンズ大
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吉安 信雄
電通大レーザー
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Currell Fred
クイーンズ大
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渡辺 裕文
産業創造研
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Currell F
クィーンズ大
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Li Y
北京応用物理計算数学研
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Kavanagh A
クィーンズ大
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Tong X
カンサス州立大
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渡辺 裕文
クィーンズ大
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倉本 秀治
科学技術振興事業団
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渡辺 裕文
科技団
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深見 恒光
電気通信大学
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大谷 俊介
科技団多価冷イオンプロジェクト
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山田 千樫
電気通信大学
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渡部 力
科技団
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Tong X.
科技団
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加藤 大治
科技団
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宮崎 優
電通大レーザー
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池田 雄介
上智大理工
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桑原 大
東邦大理
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朱 林繁
中国科技大
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杉崎 剛
電通大レーザー
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宮内 直弥
東邦大理
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照井 通文
情報通信研究機構
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照井 通文
通総研関西
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高橋 学士
CREST JST
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永田 一夫
CREST JST
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吉安 信雄
CREST JST
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中村 信行
CREST JST
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山田 千樫
CREST JST
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中嶌 史晴
神大院自然
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福本 卓典
神戸大理
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絹川 亨
料技団多価冷イオンプロジェクト
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山田 千樫
料技団多価冷イオンプロジェクト
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大谷 俊介
料技団多価冷イオンプロジェクト
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Kundu Manisha
電通大
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佐藤 井一
電通大
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永田 一夫
電通大物理
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山田 千樫
電通大物理
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フレッド カレル
電通大
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Eland J.
オックスフォード大
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絹川 亨
電通大レーザー
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Vieuxmaire O.
オックスフォード大
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古橋 治
立教大学先端科学計測研究センター
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時崎 康博
電通大レーザー
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大谷 俊介
電気通信大学
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O'rourke B
クィーンズ大
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加藤 太治
科技団:電通大
著作論文
- 21aTD-8 多価イオン照射による固体表面発光(21aTD 原子分子放射線融合,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRA-6 X-ray emission yields dependent on the target materials in the interaction of slow highly charged ion with surfaces (II)
- 21aRF-7 イオン-磁性体表面衝突における2次電子のスピン偏極度測定(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21pRF-8 高価数多価イオンビームのガラスキャピラリー通過実験(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21aXH-4 X-ray Emission Yields Dependent on the Target Materials
- 25pWD-11 Z dependence of the x-ray emission yield in highly charged ion-surface collisions
- 25pWD-8 多価イオン衝突による酸化物表面からの二次粒子放出II(25pWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pWD-7 多価イオン衝突による酸化物表面からの二次粒子放出I(25pWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30aTB-6 多価イオン-表面衝突におけるX線収量(30aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30pTB-1 電子-多価イオン衝突における共鳴過程の観測II(30pTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30pTB-2 電子-多価イオン衝突における二電子性再結合と放射性再結合の干渉効果の観測(30pTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30aTB-5 多価イオン-表面衝突によって生成したナノ構造の観察(30aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pYA-4 Tokyo-EBITを用いた重元素多価イオンの二電子性再結合過程の観測(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15pTE-5 水素様多価イオンの二電子性再結合過程の測定(原子 分子, 領域 1)
- 23aF-4 Intermediate Coupling領域でのチタン様多価イオン : 3d^4電子状態における角運動量結合性の転移
- 23aF-2 チタン様多価イオンの可視分光測定II
- 28a-ZC-2 チタン様多価イオンの可視分光測定
- 25pYJ-11 Energy Structure of N^ Hollow Atoms or Ions in the Bulk of Al
- 29pTB-8 希ガス(Ar,Kr,Xe)の低エネルギー電子衝突における副殻励起(29pTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aYA-5 Xeの5s副殼励起領域における電子エネルギー損失スペクトル(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aXN-4 電子衝撃によるNO分子のγ,δ,ε系列の励起状態における一般化振動子強度(原子・分子)(領域1)
- 29pXN-7 多価イオン照射によるシリコン表面の改質I(原子・分子)(領域1)
- 20pXA-3 多価イオン-水素終端Si表面相互作用における表面化学反応(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYA-2 多価イオン照射によって水素終端シリコンから放出された2次粒子の観測(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pYA-8 多価イオン照射固体表面のラマン散乱2(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15pTE-9 多価イオン照射により改質された固体表面の電子エネルギー損失分光法による研究(原子 分子, 領域 1)
- 15pTE-8 多価イオン照射固体表面のラマン散乱(原子 分子, 領域 1)
- 15pTE-7 多価イオン照射によるシリコン表面の改質 II(原子 分子, 領域 1)
- 29pXN-5 ナノプロセス用電子ビーム多価イオン源の設計(原子・分子)(領域1)
- 30pXN-1 プロトン二電子移行反応によるO_2^の分光(原子・分子)(領域1)
- 28aXE-9 プロトン二電子移行過程による NO^ の分光
- 17aTA-9 二電子移行による水2価分子イオンの分光
- 28pRE-11 Si(001)表面に成長したSiO_2単結晶クラスター(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aPS-113 Si(001)上に作製した単結晶SiO_2の構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 19aTF-7 Ru(0001)上におけるα-Al_2O_3単結晶薄膜の電子物性の研究
- 6a-H-6 Pt(111)/Ge系のCO吸着 : 赤外吸収分光法による研究II
- 29a-PS-29 Geで修飾されたPt(111)面へのCO分子吸着 : 赤外吸収スペクトル
- 31a-ZC-10 Tokyo-EBITでの多価イオン・レーザー実験
- 31a-ZC-10 Tokyo-EBITでの多価イオン・レーザー実験
- 28p-ZC-10 Tokyo-EBITにおけるトムソン散乱計測
- 28aXE-8 アセチレン 2 価分子イオンの分光-PEPECO 法と 2 電子移行分光法のスペクトル比較
- 高分解能二重電子移行分光法による分子ニ価イオンの分光研究
- 30pZF-3 C_2H_2^の二電子移行分光
- 30pZF-2 二電子移行イオン分光法によるN_2^、CO^、O_2^の分光
- 30pZF-5 低速多価イオン-固体表面衝突における放出二次電子,イオンの同時計測