吉安 信雄 | 電通大量子物質
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概要
関連著者
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吉安 信雄
電通大量子物質
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戸名 正英
神戸大学理学研究科
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中村 信行
電通大レーザー
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大谷 俊介
電通大レーザー
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桜井 誠
神戸大理
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山田 千樫
電通大量子・物質
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大谷 俊介
電通大レーザー研
-
櫻井 誠
神戸大院理物理
-
桜井 誠
神戸大学
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高橋 学士
電通大レーザー
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戸名 正英
高知工科大学
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桜井 誠
神戸大院理物理
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戸名 正英
CREST JST
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櫻井 誠
神戸大理
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大谷 俊介
電気通信大学レーザー新世代研究センター
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大谷 俊介
電通大レーザーセ
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渡辺 裕文
中部大
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永田 一夫
電通大レーザー
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吉安 信雄
電通大
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渡辺 裕文
CREST JST
-
渡辺 裕文
Crest:科学技術振興機構
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安達 健
電通大物理
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安達 健
電通大
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阿部 崇
電通大レーザー
-
藤田 祐崇
電通大レーザー
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戸名 正英
電通大レーザー
-
渡辺 裕文
電通大レーザー
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孫 建
電通大レーザー
-
孫 健
電通大レーザー
-
孫 建
中部大学
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馬場 由香里
電通大レーザー
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高木 隆司
農工大
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櫻井 誠
神大理
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中山 亮
東工大応セラ
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小林 朋弘
電通大レーザー
-
中山 亮
電通大量子物質
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島崎 隆宏
電通大レーザー
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大谷 俊行
電通大レーザー
-
吉安 信雄
電通大レーザー
-
山田 千樫
電通大レーザー
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照井 通文
情報通信研究機構
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照井 通文
通総研関西
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高橋 学士
CREST JST
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永田 一夫
CREST JST
-
吉安 信雄
CREST JST
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中村 信行
CREST JST
-
山田 千樫
CREST JST
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松田 和久
電通大, 小金井工高
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新井 洋二
農工大, 共立女子短大
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新井 洋二
電通大物理
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高木 隆司
濃工大
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新井 洋二
電通大 物理
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松田 和久
電通大
-
新井 洋二
電通大
著作論文
- 21aRF-7 イオン-磁性体表面衝突における2次電子のスピン偏極度測定(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21pRF-8 高価数多価イオンビームのガラスキャピラリー通過実験(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21aXH-4 X-ray Emission Yields Dependent on the Target Materials
- 25pWD-11 Z dependence of the x-ray emission yield in highly charged ion-surface collisions
- 25pWD-8 多価イオン衝突による酸化物表面からの二次粒子放出II(25pWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pWD-7 多価イオン衝突による酸化物表面からの二次粒子放出I(25pWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30aTB-6 多価イオン-表面衝突におけるX線収量(30aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30aTB-5 多価イオン-表面衝突によって生成したナノ構造の観察(30aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 29pXN-7 多価イオン照射によるシリコン表面の改質I(原子・分子)(領域1)
- 20pXA-3 多価イオン-水素終端Si表面相互作用における表面化学反応(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYA-2 多価イオン照射によって水素終端シリコンから放出された2次粒子の観測(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pYA-8 多価イオン照射固体表面のラマン散乱2(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15pTE-9 多価イオン照射により改質された固体表面の電子エネルギー損失分光法による研究(原子 分子, 領域 1)
- 15pTE-8 多価イオン照射固体表面のラマン散乱(原子 分子, 領域 1)
- 15pTE-7 多価イオン照射によるシリコン表面の改質 II(原子 分子, 領域 1)
- 28a-J-6 蒸発する液滴の振動に対する周囲温度の影響II
- 3p-D4-1 蒸発する液滴の振動に対する周囲温度の影響
- 1a-O-4 クント管内の粒子に働く揚力
- 3a-BF-1 クント管内の粒子の動きと二次流れ
- 4p-NN-1 クントの実験における種々な形のダストの挙動
- 上下加振された扁平液滴の自励振動