永田 一夫 | 電通大レーザー
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概要
関連著者
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永田 一夫
電通大レーザー
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山田 千樫
電通大量子・物質
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村田 好正
東大生研
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戸名 正英
神戸大学理学研究科
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中村 信行
電通大レーザー
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大谷 俊介
電通大レーザー
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桜井 誠
神戸大理
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吉安 信雄
電通大量子物質
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高橋 学士
電通大レーザー
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大谷 俊介
電通大レーザー研
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櫻井 誠
神戸大院理物理
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桜井 誠
神戸大学
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櫻井 誠
神戸大理
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村田 好正
電通大物理
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戸名 正英
CREST JST
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永田 一夫
電通大物理
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戸名 正英
高知工科大学
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藤本 洋
電通大物理
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桜井 誠
神戸大院理物理
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馬場 由香里
電通大レーザー
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近浦 吉則
九工大
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高橋 敏男
東大物性研
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村田 好正
電通大
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近浦 吉則
九工大工
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矢代 航
電通大
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戸名 正英
電通大レーザー
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梶原 堅太郎
九工大工
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梶原 堅太郎
Jasri Spring-8
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矢代 航
東大新領域
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高橋 学士
CREST JST
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永田 一夫
CREST JST
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吉安 信雄
CREST JST
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中村 信行
CREST JST
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山田 千樫
CREST JST
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近浦 吉則
九州工業大学工学部物質工学科
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矢代 航
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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Kundu Manisha
電通大
-
山田 千樫
電通大物理
著作論文
- 20pXA-3 多価イオン-水素終端Si表面相互作用における表面化学反応(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYA-2 多価イオン照射によって水素終端シリコンから放出された2次粒子の観測(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pYA-8 多価イオン照射固体表面のラマン散乱2(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15pTE-9 多価イオン照射により改質された固体表面の電子エネルギー損失分光法による研究(原子 分子, 領域 1)
- 15pTE-8 多価イオン照射固体表面のラマン散乱(原子 分子, 領域 1)
- 15pTE-7 多価イオン照射によるシリコン表面の改質 II(原子 分子, 領域 1)
- 新結晶・新物質 金属単結晶上の高品質単結晶膜
- 19aTF-7 Ru(0001)上におけるα-Al_2O_3単結晶薄膜の電子物性の研究
- 30aXC-5 金属単結晶上の酸化物単結晶薄膜の背面ラウエパターンの観測の試み
- 2aW-4 Ru(0001)上におけるα-Al_2O_3単結晶薄膜のバンドギャップ測定 : 角度分解電子エネルギー損失による研究Part2
- 26aPS-12 Ru(0001)上におけるα-Al_2O_3単結晶薄膜の角度分解エネルギー損失分光の測定
- 26p-YR-13 Ru(0001)を基板としたα-Al_2O_3単結晶膜のSTM/STS測定
- 26p-YR-12 高品質α-Al_2O_3単結晶薄膜の作成