多価イオンによる表面改質効果

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概要

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• The surfaces of HOPG and Si(111) irradiated with highly charged ions (HCIs) were observed using a secondary electron microscope (SEM) and an atomic force microscope (AFM). The SEM contrast appears between irradiated and unirradiated surfaces when the fluence come to 1013∼1014/cm2, while the fluence of 1015∼1016/cm2 is necessary for the irradiation with singly charged ions. The results exhibit that the potential energy of HCI produces surface modification efficiently without disturbing bulk structure.

著者

• 戸名 正英

  神戸大学理学研究科

• 櫻井 誠

  神戸大理

• 照井 通文

  情報通信研究機構未来ICT研究センター

• 櫻井 誠

  神戸大学理学部

• 照井 通文

  情報通信研究機構

• 朝倉 憲

  神戸大学

• 飯田 直幸

  神戸大学

• 劉 盛進

  神戸大学

• 櫻井 誠

  神戸大院理物理

• 戸名 正英

  神戸大学

• 櫻井 誠

  神戸大学

• 櫻井 誠

  神戸大学大学院理学研究科

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