有機エピタキシャル膜の成長素過程の観察
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概要
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超高真空中で,アルカリハライド(AH)やMoS_2基板上にバナジルフタロシアニン(VOPc)薄膜をエピタキシャル成長し,原子間力顕微鏡でドメイン構造を観察した。いずれも多核成長を示すが,電子線回折から導かれた格子構造を核として成長していることが予想された。AH上では,原子レベルの段差を持つステップでさえ2次元方向への成長を妨げていることが観察された。MoS_2上ではほぼ層状成長と見なせる成長様式が確認された。特に基板を100℃程度に加熱すると,大面積にわたり平坦で均一な膜の成長が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-06-20
著者
-
益子 信郎
情報通信研究機構関西先端研究センター
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益子 信郎
郵政省通信総合研究所
-
多田 博一
分子科研
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益子 信郎
(独)情報通信研究機構関西先端研究センター
-
多田 博一
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
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