ガス雰囲気中でのフタロシアニン薄膜のFET特性とキャリア移動度の測定
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概要
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p型半導体特性を示すチタニルフタロシアニン(TiOPc)を用いて、電界効果トランジスタ(FET)を作製した。二酸化窒素ガスおよびアンモニアガス雰囲気中での特性を調べ、これらガスの正孔移動度に与える影響を検討した。電子受容性ガスである二酸化窒素中でのTiOPc膜の電気伝導度の増大は、従来説明されていたように、正孔濃度の増加に主として支配されていることが示された。一方、電子供与性のアンモニアガス中では、正孔濃度が減少するとともに、正孔の移動度も減少し、両者の寄与で電気伝導度が減少することがわかった。吸着分子がキャリア輸送機構に重要な影響を与え、薄膜の高機能化にはその制御が不可欠であるといえる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-06
著者
-
松重 和美
Dep. Of Electronic Sci. And Engineering Kyoto Univ. Katsura Nishikyo Kyoto 615-8510 Japaninnovative
-
任田 浩
京都大学工学研究科電子物性工学教室
-
松重 和美
京都大学大学院工学研究科
-
松重 和美
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
多田 博一
分子科研
-
任田 浩
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
多田 博一
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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