エネルギー分散型X線反射率測定による有機EL薄膜のその場構造変化観測
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概要
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有機ELにおける劣化の原因として電極の腐食、有機物の変質、界面の変化などが挙げられているが、劣化機構は未だ不明の部分が多い。そこで我々は当研究室で開発したエネルギー分散型斜入射X線反射率測定法(ED-GIXR)を用い、有機EL薄膜の膜厚、密度、表面・界面粗さを動的に評価した。反射率測定は、大気中で60℃の熱アニーリングと同時に行った。TPD/SiではTPDが凝集することにより基板との密着性が増し、不連続膜になることが「その場」で測定された。熱的に安定なAlq_3/SiもAlq_3が表面・界面でナノレベルの変化をしていることが分かった。さらにAl/Alq_3/Siの多層膜でも反射率測定により膜構造を評価することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-05
著者
-
松重 和美
Dep. Of Electronic Sci. And Engineering Kyoto Univ. Katsura Nishikyo Kyoto 615-8510 Japaninnovative
-
松重 和美
京都大学工学研究科国際融合創造センターベンチャービジネスラボラトリー
-
堀内 俊寿
京都大学工学部電子物性工学科
-
林 好一
京都大学工学研究科電子物性工学教室
-
折田 賢児
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
山本 泰典
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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