Highly Oriented Nb-Doped Lead Titanate Thin Films by Reactive Sputtering: Electrical Properties
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-11-15
著者
-
塩嵜 忠
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
堀内 敏行
東京電機大学工学部
-
松重 和美
Dep. Of Electronic Sci. And Engineering Kyoto Univ. Katsura Nishikyo Kyoto 615-8510 Japaninnovative
-
Horiuchi T
東京電機大
-
HORIUCHI Toshihisa
Department of Electric Science and Engineering, Graduated School of Kyoto University
-
Shiosaki Tadashi
Department of Electronic, Faculty of Engineering, Kyoto University
-
松重 和美
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
Ibrahim Ricardo
Venture Business Laboratory (vbl) Kyoto University
-
MATSUSHIGE Kazumi
Venture Business Laboratory, Kyoto University
-
Shiosaki Tadashi
Research Development Division Sakai Chemical Industry Co. Ltd.
-
Shiosaki Tadashi
Department Of Electrical Engineering Ii Faculty Of Engineering Kyoto University
-
Horiuchi Toshihisa
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Kyushu University
-
Tokuhisa Hiroaki
Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu Univer
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