超高真空環境下における有機半導体物性
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概要
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超高真空環境中でチタニルフタロシアニン薄膜を作成し、半導体特性を「その場」測定した。電解効果トランジスター(FET)を作製してキャリア移動度を測定したところ、超高真空中ではn型特性を示し、その移動度は9x10^<-6>cm^2V^<-1>s^<-1>であった。電気伝導度およびキャリア濃度は、9x10^<-8>Scm^<-1>および6x10^<16>cm^<-3>と計算された。このn型特性は酸素の導入により消失し、正孔が多数キャリアとなってp型特性が現れる。正孔のキャリア移動度は、電子のそれとほぼ同じで1x10^<-5>cm^2V^<-1>s^<-1>であった。p型、n型の発現は、残留ガスの微妙なバランスによって決まる。ある条件下では、キャリアが補償しあい、電気伝導度が小さくなるとともに、p型、n型の特性が同時に現れた。
- 1999-07-14
著者
-
松重 和美
Dep. Of Electronic Sci. And Engineering Kyoto Univ. Katsura Nishikyo Kyoto 615-8510 Japaninnovative
-
松重 和美
京都大学工学研究科国際融合創造センターベンチャービジネスラボラトリー
-
多田 博一
京都大学工学研究科電子物性工学教室
-
任田 浩
京都大学工学研究科電子物性工学教室
-
高田 正基
京都大学工学研究科電子物性工学教室
-
高田 正基
JST-さきがけ
-
松重 和美
京都大学大学院工学研究科
-
松重 和美
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
多田 博一
分子科研
-
多田 博一
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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