ナノギャップ電極の簡易作製法と有機FETへの応用(センサデバイス, MEMS, 一般)
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概要
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有機電界効果トランジスタ(OFET)に用いるナノギャップ電極の簡易な作製法を提案し、ナノギャップ電極を試作した。ギャップ250nmの櫛形電極パターンの作製に成功し、短絡なく十分な絶縁が確認された。また、作製できた最も短いチャネル長は70nmであった。金またはマグネシウム-銀合金をソースードレイン電極に用いたナノギャップ電極基板上にペンタセンと銅フタロシアニンを製膜しOFET評価を行った結果、ミクロンチャネルのOFETと同程度のId-Vd特性を観測した。
- 2003-08-26
著者
-
松重 和美
Dep. Of Electronic Sci. And Engineering Kyoto Univ. Katsura Nishikyo Kyoto 615-8510 Japaninnovative
-
松重 和美
京大工
-
松重 和美
九大・工
-
石田 謙司
神戸大学 大学院工学研究応用化学専攻
-
松重 和美
京都大学大学院工学研究科
-
石田 謙司
神戸大学
-
Ishida Koichi
Optoelectronics Joint Research Laboratory:(present Address) Fundamental Research Laboratories Nec Co
-
Ishida K
Optoelectronics Joint Research Laboratory
-
Ishida K
Semiconductor System Engineering Center Toshiba Corporation
-
松重 和美
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
Ishida Kohtaro
Department Of Physics Science University Of Tokyo
-
Ishida K
Yamagata Univ. Yamagata Jpn
-
石田 謙司
神戸大学工学部応用化学科:神戸大学大学院工学研究科応用化学専攻
-
八尋 正幸
京都大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
石田 謙司
京都大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
松重 和美
京都大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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