有機エピタキシャル膜の光電変換効果
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概要
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水素終端シリコン(111)面(H-Si (111))上にバナジルフタロシアニン(VOPc)をエピタキシャル成長し,金(Au)電極を付けて光電変換セルを作製し,その特性を調べた。Au/VOPc/H-Siのセルでは, Au/H-Siショットキー型セルに比べて,短絡光電流(Isc)は減少したが,解放光起電力(Voc)とフィルファクター(FF)の増加が見られた。Vocの増加は金属-絶縁層-半導体接合の形成による,界面の電荷の蓄積のためと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-05
著者
-
益子 信郎
情報通信研究機構関西先端研究センター
-
益子 信郎
通信総合研究所関西先端研究センター
-
多田 博一
分子科研
-
ヒラー ステファン
ブレーメン大学
-
益子 信郎
(独)情報通信研究機構関西先端研究センター
-
多田 博一
通信総合研究所関西先端研究セン夕ー
-
シュレットバイン デルク
ブレーメン大学
-
ベルレ ディーター
ブレーメン大学
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