製造ばらつきを考慮したフィールドテストのためのクリティカルパス解析(フィールドテスト・製造ばらつき,VLSI設計とテスト及び一般)
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概要
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近年,製造テストで正常VLSIと判定され,出荷後のフィールド上で経年劣化の結果微小な遅延が発生し,不良VLSIとなるものが存在することが問題となっている.VLSIにおいて,経年劣化のために発生した欠陥を検出するために,フイールド上でテストを行うためのフィールドテストが提案されている.しかしながら,フィールドテストではテスト実行時間などの観点から微小遅延故障を網羅的に検出するためのテストを実行することは,困難である.それゆえ,フィールドテストの対象とするテスト対象パスの選択は重要である.テスト対象パス選択法としては,SDQMなどを用いて回路内のできるだけ長いパスを選択しつつ,パスの全体での経年劣化を計算しテスト対象パスを決定する方法が存在する.しかしながら,この手法はパス全体の経年劣化を考慮しているが,VLSIを製造した際に生じる製造ばらつきを考慮していない.そこで本論文では,製造ばらつきを考慮したテスト対象パス選択法を提案するための前段階として,製造ばらつきの結果設計時にはクリティカルパス以外のパスが,製造後にクリティカルパスとなる危険パス数に関する評価を行った.ISCAS'89, ITC'99べンチマーク回路での実験結果からVLSI1000個に対して,最大20本の危険パスが存在することが分かった.
- 2011-02-07
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