室温動作単電子トランジスタとCMOS 1-bitアナログセレクタの集積化(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSFETの特性を改善し、SETとCMOSを集積化した上での回路動作を実証した。作製プロセスの改良により、MOSFETの寄生抵抗の抑制とノーマリオフ動作を実現し、作製プロセスの完全なCMOS互換性を達成した。6個のMOSFETから構成されたCMOSアナログセレクタ回路とSETを集積し、2つの入力電圧のうち1つをセレクタを介して選択的にSETのゲートに印加する動作を室温にて実証した。加えて、セレクタに接続された2つのSETのうちの1つの出力電流を選択的に読み出せることも示した。これらの成果により、SETとCMOSを集積化した高密度な情報処理回路の実現可能性が示された。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-02-20
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