CMP-Cu薄膜の表面活性化常温直接接合における真空露出量の影響の評価
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概要
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In this study, we optimized the vacuum condition for direct bonding of CMP-Cu films using the surface activated bonding (SAB) method at room temperature. The quality of bonding with the SAB method depends strongly on the cleanness of the surface activated by the Ar atom beam irradiation. Therefore, the relationship between the vacuum condition and bonded area was evaluated with the amount of exposure (Pa・s) as the parameter. Our results show that the critical exposure condition to obtain a full bonded area on the surface is around 0.1Pa・s. The numbers of molecules colliding with the active surface conceivably determined the cleanness of the surface, and XPS observation showed that oxidation of the surface could be prevented at this level of exposure.
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2006-07-01
著者
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重藤 暁津
独立行政法人物質・材料研究機構ハイブリッド材料センター機能化インターコネクショングループ
-
須賀 唯知
東京大学
-
須賀 唯知
東京大学大学院工学系研究科精密機械工学専攻
-
伊藤 寿浩
東京大学大学院工学系研究科
-
重藤 暁津
東京大学大学院工学系研究科
-
重藤 暁津
東京大学先端科学技術研究センタ
-
重藤 暁津
物質材料研究機構
-
須賀 唯知
東京大学大学院工学系研究科
-
重藤 暁津
独立に政法人物質・材料研究機構
-
伊藤 寿浩
産業技術総合研究所集積マイクロシステム研究センター
-
須賀 唯知
東京大学大学院 工学系研究科
-
伊藤 寿浩
産業技術総合研究所 集積マイクロシステム研究センター
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