Cu超微細電極の常温直接接合を用いたバンプレスインタコネクト(微細インタコネクション技術, <特集>先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)

概要

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本研究では, 表面活性化常温接合(surface activated bonding, SAB)法をCu電極の常温直接接合に適用して超微細バンプレスインタコネクトを実現し, その電気的性能を検証した. また, バンプレス構造を薄型実デバイスとSiインタポーザ間の接続に適用し, バンプレス接続の実用部品への応用性を示した. ダマシン手法とRIE(reactive ion beam etching)の応用で製作されたバンプレスモデル試料を高精度SABフリップチップボンダで接合することで, 直径3μm, ピッチ10μm, 高さ60nmのバンプレス電極100, 000端子の接続を実現し, 接続抵抗がマイクロオームのオーダの低さになり得ることと, 界面での高い加熱信頼性を有することを示した. また, 酸素プラズマ照射とCMP(chemical mechanical polishing)の併用によりポリイミド絶縁膜を有するバンプレス電極を形成するプロセスを考案し, 厚さ0.1mmのフラッシュメモリと同厚のインタポーザの接続に適用した. 接合されたメモリチップはコンパクトフラッシュ(CF)メモリカードにアセンブリされ, 良好に動作することが確認された.
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-11-01