常温接合による銅バンプレスインタコネクトと三次元集積化(<特集>先端電子デバイスパッケージと高密度実装プロセス技術の最新動向論文)
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概要
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三次元集積化における技術の現状を,特に,チップやウェーハの積層において重要な役割を果たす接合技術に焦点を当てて総括する.Cu-Cuの接続を室温で実現する表面活性化接合を併せて紹介する.この方法は,イオン衝撃による表面の活性化とこれに続く清浄環境での接触のみによって,低温接合を実現する手法である.この方法により,ミクロンレベルのCu-Cuのバンプレスインタコネクトを100万端子一括接合により実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-01
著者
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