光熱励振カンチレバの共振特性を利用したマイクロデバイスの封止評価(<特集>先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
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概要
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光マイクロデバイスに適用可能な光学式の封止評価技術を報告する.封止評価として,封止されたデバイス外部の圧力を変化させながら,デバイス内部圧力を測定した.デバイス内部圧力測定は,デバイスに内蔵したマイクロカンチレバにおける機械的Q値の雰囲気圧力依存性を用いた.機械的Q値は,光熱励振によりカンチレバを共振させ,その振動変位を光干渉計により検出することにより求めた.カンチレバを内蔵したシリコン(Si)キャビティ(cavity)基板をガラス基板により封止した試験用封止サンプル(2.8×2.8×t1.0mm^3,キャビティ容積:1.9×10^<-3>cm^3)を作製し,デバイスのリーク検出が可能であることを示した.
- 2010-11-01
著者
-
澤田 廉士
九州大学工学研究院
-
日暮 栄治
東京大学先端科学技術研究センター
-
山本 真一
東京大学大学院工学系研究科精密機械工学専攻
-
須賀 唯知
東京大学大学院工学系研究科精密機械工学専攻
-
澤田 廉士
九州大学工学研究院機械工学部門
-
須賀 唯知
東京大学工学系研究科精密機械工学専攻
-
山本 真一
自治医科大学外科学講座呼吸器外科部門
-
須賀 唯知
東京大学大学院工学系研究科
-
日暮 栄治
東京大学先端科学技術センター
-
須賀 唯知
東京大学大学院 工学系研究科
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