フィールドにおけるLSI劣化テストの可能性に関する一考察(設計/テスト/検証)
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概要
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近年の電子機器に組み込まれたLSIは極めて高い信頼性を要求されている.しかしBTI (Bias Temperature Instability)に代表される半導体の劣化現象は,従来の製造テストに依存したフィールドでの信頼性確保を困難にしている.それゆえ,フィールドでのモニタ技術やテスト技術に関する適用事例や研究が数多く報告され始めている.一方,劣化現象そのものについては高精度な物理モデルが知られているにも関わらず,実LSIのフィールドでの振る舞いや,それを踏まえて如何にテストすべきかの観点からの研究は必ずしも多くないように見える.本論文では,代表的な物理モデルを元にLSIのフィールドでの故障発生状況をシミュレーションし,様々なパラメータが品質に及ぼす影響を考察する.フィールドでの品質には数多くのパラメータを正確に把握することは困難なこと,また実際のフィールドでの入手可能な品質データが極めて少ないことから,実際のFIT数とシミュレーションによる予測FIT数を合わせることは困難であるが,その定性的性質について考察可能なことを示す.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-14
著者
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